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横向型少数载流子注入控制的FET 刘海涛 陈启秀 (浙江人学功率器件研究所269#，浙江杭州I，310027) 摘要：本文第一次提出一种横向型的少数载流f注入控制的场效席晶体管(L．MICFET)，并 对其进行了二维数值分析及验证。分析结果表明．该结构在VG=IOV，Vo=4V时，电流密度 比LDMOS大30％以上，而关断时问j。LDMOS相近。同时还对该结构中悬浮P区的不同 位置设置进行了考虑。 关键词：场效应晶体管，LDMOS，功率器件 TheLateral Carrierection MinorityInj COntrO11ed Fiel dEffect Transi stOr LiuHaitaoChen Qixiu (Box269，InstituteofPower Devices，Zhejiang 10027) University，Hangzhou，3 Abstract：Thefirst theLateral Carrier ControlledFieldEffect paperpresents MinorityInjection itwith1wo．dimensionnumerical Transistor(L—MICFET)，andanalyzes simulationTheresultsof numericalindicatea inon-statecurrent analysis overtheLDMOSwIth 30％improvement density turn—off time．Also．thedifferentlocationofthe P intheL．M1CFETis comparable floatingregion considered． Keywords：FET．LDMoS．Powerdevices 0、引占 由于LDMOS…及LIGBTl21具有良好的栅控制性，网此它们的输入阻抗很高，驱动电路 简单，使之在高压集成电路(HVIC)及智能功率集成电路(SPIC)中得到广泛应用。LDMOS 具有极高的开关速度，因为它是单极载流f器件；但是较大的开态电阻限制了它在高压领 域内的府用。而LIGBT由丁导通J0t1．3在漂移Kq，引入电导调制效应，使开态电阻及导通压 人大降低，但是由r在关断期间，被注入到漂移区中的过剩载流子不能被立即抽走，延误 了器件天断，使关断时间变长．约为5us左右。虽然这可以通过载流f寿命控制技术及阳 极短路等技巧米进行改进，馊关断时间r降到儿卣纳砂，但这将使导通压降上升。另外由 rLIGBT中具有PNPN四层结构．徉易发生闩锁现象。除此之外，还有SINFET【3J、 器件的电流密度比DMOS提高33％左右。鉴于此，本文在此第一次提出一种横向型的 MICFET结十勾(L—MICFET)，并对其特性进行了维数值分析及验证。 1、器件结构及r[作原理 横向型少数载流子注入控制的场效应晶体管(L-MICFET)的结构剖面图及等效电路如 图1所示。它与LDMOS很相似，仪仅足在源区附近增加一个悬浮的P区及一个耦合的 590 可将漏极高电位耦合至悬浮P区．使之向漂移区注入少数载流子(空穴)，使漂移区电阻降 低。当栅压为止，且漏极电位低r1．3v时，器件l：竹J。LDMOS状态。电流随电压线性增 加，此时悬浮P区并未向漂移区发射空穴：当漏极』乜压超过1．3V以后，悬浮P／N一结开通， 悬浮P区向漂移区注入空穴，使漂移区产生适量的电导调制效应．导通电阻减小，增强了 器件的电流处理能力。由丁在正向导通期间被注入到漂移区的少子数量不是很多，且靠近 LDMOS的P基区，因此在关断期间这些过剩的少子(