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红外测量重掺硅中间隙氧含量 (河北』．业大学半导体材料研究所 天津 300130) 任丙彦王庆禄张志成 郝秋艳 (河北省宁晋晶隆半导体厂 河北’j‘晋055550) 闰计存曹振利张永欣 摘要 为研究垂掺杂硅单晶中氧的行为，克服由于强烈自由载流子吸收的干扰所造成的红外测 氧困难，本文首次采用低温4．2K、超薄样品的傅盘叶变换红外吸收光谱法 (pTI R)翱得重掺 杂硅单晶中间隙氧吸收峰，并借助轻掺杂样品的参比，对该条件下氧古量计算的转换因子进行标定。结 果表明，重掺硼硅中的氧含量明显高于重掺锑硅中的氧古量． 一引言． zS 氧是c i单晶中最主要的杂质之一，它对硅的机械强度和各种电学参数有着直接 影响。近年来半导体微波器件和大规模超大规模集成电路的研制、生产，已越来越多的采 用重掺杂村底上的外延薄膜材料，如11／n+与P／P+外延结构。因为外延1：艺与村底 IG工艺的结合，能够人人提高动态存储器RAM的记忆保持时间，是解决集成电路中的 Ls I和 uLs I的发展，集成度的提高和线宽的进一步缩小，对硅单晶中杂质和缺陷的控制提出 了越来越高的要求，而衬底硅片中氧的本征吸除则是解决该问题的有效途径。众所周知， 硅中氧及氧沉淀行为直接影响着IG．r艺和硅衬底的吸杂效果，只有对重掺杂硅中氧及氧 沉淀行为进行深入的研究，才能在此基础上通过各种热处理工艺研究氧沉淀的动力学过程 以及初始氧含量、掺杂剂浓度、热处理条件与氧沉淀密度及其分布的关系，探索适_}}j于重 掺杂硅单晶中的IG：7．艺，为进一步改善重掺杂衬底外延片的质晕和提高IC器件成品率 LS LS 创造条件。冈此在V I和u I集成技术应用中，重掺杂硅中间隙氧含量的精确测 鼙和控制变的尤为重要。 傅立叶变换红外吸收法作为一种非破坏性、准确的间隙氧常规测量技术得到』“泛的应 0 0 1 0 用。该方法主要是通过测量室温(3 K)卜Si一0_si键非对称性振动所对应的1 6 Cm一红外吸收峰的强度来得到硅中间隙氧含鼍。而对于电阻率0．1Q·c112(载 0”c 流子浓度1 lTl。)的重掺硅，由丁-测晕过程中存在着与频率有关的自由载流子 的强烈吸收，红外吸收谱基线弯曲，使红外吸收峰的信噪比大大降低，红外透射率F降。 冈此常规FrlR法测量重掺砖单晶中问隙氧已不适用。 1 近年来，针对重掺硅红外吸收法测颦所产生的严重自由载流子吸收，人们发展了许多 与红外吸收相结合的方法与技术，其根本途径均在丁引进缺陷提高样品的电阻率，降低自 由载流子的浓度。如高能电子辐照、快中子辐照等，以此来达到红外吸收的目的，然而高 34 i—O—S 能粒子辐照除辐照周期较长外，所导致的结构缺陷相当复杂，对S i键的影响 和其他影响冈索的物理基础尚不清楚，复杂的样品处理条件和测量的准确度还需做大量的 ’【作。 本文鉴于傅立叶变换红外吸收法的固有优点，首次采用低温4．2K、超薄样品，在 不引入缺陷和不破坏重掺硅晶格的前提下，测得其间隙氧吸收峰，通过进一步研究得到了 有益的结论。 二实验样品的制备 实验所采用的样品为三种： 1 X1 a：P[11]、3．70。Q·CiTI的a3“掺B直拉硅单晶