铜与碱金属对压敏元件的影响与作用.pdfVIP

铜和碱金属对压敏元件的影晌和作用 曹全喜炼立军粱艳萍．牛苏彦 西安电子科技大学技术物理学院 一．引言 影响压敏电阻器性能的因素很多．由原材料和制备过程中引入的有害杂质是其中 重要因素之一。有些杂质对元件的性能影响大，在原材料检验和工艺过程中应严格控 制．有些杂质影响不大．或无益亦无明显危害，则可放松控制，以利于降低成本．经 过大量的实验研究得知．在诸多的元素中对ZnO压敏电阻器性能危害最大的杂质当 无害．反而可以提高元件的表现介电系数8。口及其它性能参数．本文试图对以上现象 的机理作出解释。 二．实验 厦唾对元件的性能无明显影响． 圉I一4 Cu、Na、Li、K对ZnO元件性能孵影响 羽 o A1203等添加剂，经球磨、造粒、成型、还原气氛烧结．制得环形SrTi03敏一电容 双功能元件。在此过程中用正交实验法(使用L8(21)正交表)研究了Cu、Na、Li、 K对SrT03元件的压敏电压VI。、品粒尺寸L、电容量C的影响，实验结果如下表： 杂质种类 浓度t001％样品晶粒大小 压敏电压之和 ．电容量之和 之和EL(um)∑Um^(V)Ec(nf) Cu O．1 79 184 120 O．2 44 ／6 20lo Li 31 160 110 2 92 100 2lO N丑 O．5 60 135 125 1 63 125 195 K 0．5 59 135 108 1 64 125 112 较多的cu使晶粒尺寸L变小，反而使压敏电压Vl。下降，电容量C上升；较 多的Li使晶粒尺寸L变大，压敏电压VI“下降，电容量C上升；较多的Na使电容 量C上升，而对压敏电压Vlm^和晶粒尺寸L无明显影响：K的含量对各项参数均无 踢显影响． 三．讨论 1．Cu、Na、Li影响ZnO压敏电阻器性能的原因 ZnO和SrTi03为主材料的压敏电阻器均为n型半导体，其压敏特性主要来自于 晶界效应．晶界处的双肖特基势垒的高度中和肇与外界施加的电压V的依赖性成为影 响压敏特性的主要囡索，双肖特基势垒的高度母可表示为： e：啦 垆万丽 ∽’ 其中Ns： 晶界受主态密度 ND：半导体晶粒的施主密度 ‘Ⅻ：有效相对介电系数 通过理论分析和实验i：!实，往往当势垒较高时。非线性系数a也鞍大．对ZnO压 敏电阻器．当V}。^．IOV时挹往’带线系数位豫骶r蕞至失太，i敏性也证实了n与母之间 的这种依存关系 ZnO是纤维钎矿结构．其惯垲元胞列幽5所示，其品格常数a=324．96pro，萁俯 视图(0001)面如豳6所示，幽中没布斜线的部分完全是空的．由儿何计算可知最人 B 幽5纤维锌矿结掏示意图 图6纤维锌矿(0001)面示意图