层状复合陶瓷强化机制.pdfVIP

半千压成型为40×40×10的坯体，再与250Mpa等静压，将样品放入氧化铝坩埚，周围分别添入 后随炉冷却 表1 编号 Mul Zr％ SiCp —1600 A1 80 15 5 p1200 A2 75 15 10 a800 A3 70 15 15 芒400 A4 60 15 25 O A5 50 15 35 0 10 20 30 40 Time(min) 3．结果与讨论 3．1，AbO寸si0_Mul反应与“热过冲自我抑制” 微波烧结A组的5个样品全部失败．不是局部熔融，就是没有烧结，考虑到各种人为因素， 又重复两次，结果依旧。B组的5个样品全部烧结成功．样品无变形，无开裂，无氧化．结合 微波烧结的特点，我们认为A组样的失败是”热过冲”造成的，B组样的成功说明 Al，Q+siooMul的合成反应有效地抑制了”热过冲”的发生。 对于多相复合材料，由于各相的eo、tan5差别很大，所以从微波场中吸收的能量也有很大差 别。同时，因为材料的￡o随温度升高而增大，zr02和sic高温下还会产生相当的漏导损耗，且 随温度升高而增大，Zl02在1170。C还存在一个m斗t的相变，伴随有如的突变。所以，在微波 烧结时，ZTIvl／SiCp中的Zr02相极易形成热点，一旦热点形成，将产生强烈的正反馈。熟点处 的卧tan5、漏导损耗都很大，于是吸收更多的微波能量，使“热点”的温度进～步升高。如此 恶性循环，最后导致”热过肿”。 在B组样品烧结中，同样有一定量的正反馈，不可避免地也会出现热点。但是，热点的能 的Mul是液相的，液相的陶瓷是电解质，有很强的离子电导，对微波的漏导吸收很大，超过Z102， 这样热点就开始向液相Mul转移。但是Mul的液相是瞬间的，很快就转变为固态。漏导吸收会 跟着大幅度下降，于是热点就自动消失了。我们将此称为“热过冲自我抑制”。引入 使微波烧结ZTM／SiCp的过程自动稳定地进行。 504 入如上所说的“热过冲自我抑制”，又不会增加污染，因为Mul本身就是基体相。 3．2。埋粉对微波烧结ZTM／SiCp的影响 在微波烧结ZTMJSicp的过程中使用坦粉，视衷只是为了防止样品中的Sjcp氧化。但是， 作z讯昭icp的埋粉，A1203和∞2是不适合的。 结合微波烧结参数分析，A1203和Zr02低温—Fb：t锄6均很小，为了保证合适的升温速率， 足以抵消强大的E产生的正反馈，所以。还是出现了热过冲。因为Zr02高温下有相变及离子电 导，自然热过冲更甚，Zr02埋粉与样品发生了严重的粘连。 磨料SiC因其不纯而具有一定的电导，在微波场中，这大大增加了漏导损耗。很小的微波 场强E就能达到要求的升温速率，A1203+SiO，_M山的合成反应引入的负反馈得以发挥作用， 抑制了热过冲。500／“SiC+500／d3N埋粉由于高温下表层生成了硼硅玻璃。起到了较好的密封作用， 样品表面几乎没有氧化。 3．3．微波烧结ZTwt／SiCo的优点 以往的报道中ZTM／SiCp均为热压烧结，有个别在N：气氛中无压烧结ZrM俗icp的报道。 烈氧化分解。这是常规烧结晃法比拟的。 微波烧结ZTMYSiCp材料全过程约50min，耗电不到2kw．h。节能约97％。 硬度HVl4．8GPa。 4．结论 烧结不能实现的。 ZTM／SiCp得以顺利进行。 3．烧结过程中，微波场强E存在一临界值，E超过临界值，“热过冲自我抑制”作用将失 效。场强E可以通过埋粉来调节。烧结z1M／SiCp最适宜的埋粉是磨料SiC。 参考文献 and 1．M．A．Janney,H．D．Kimrey Microwave III