硅单晶抛光镜面吸附动力学的分析的研究.pdfVIP

?’7§≤ 刊了。弘．，z护、厂 硅单晶抛光镜面吸附动力学的分析研究 刘玉岭 郝美功 (河北工业大学，天津300130)(洛阳单晶硅厂，洛阳471009) 摘 要本文对硅单晶新生樾光镜面活性状态及其与环境吸附质之间相互作用 的动力学过程进行了分析研究。提出了两类吸附质状态的控制模型。通过实验验证 了使用非离子大分子活性剂优先吸附抛光镜面，降低活性，达到稳态，满足VLSI 和ULSI用硅单晶抛光片表面清洗的工艺要求： 、 ．-_-●●_--_●-一●--_●--一 1前育 等公司，采取晶片抛光后迅速用双面刷片机 微电子器件正进一步向高性能、高集 刷洗，获得了较洁净的表面；但存放时间短 成、浅结化、低成本、高效率和生产大规模 (2小时内)、设备价格昂贵(每台30—40 化方向迅速发展。为了提高效率，硅单晶棒 万美元)、效率低(一片片依次刷)、易造成 二次损伤(返惨率高)。又由于化学、键合 直径已实现了①300mm。说∞mm已达到规 吸附存在，SEMI国际标准对①100mm硅片 模生产，材料参数完全能满足VLSI(超大 表面仍允许西0．5tan颗粒《10个／片．而 规模集成电路)与ULSI(甚大规模集成电 路)要求。目前对衬底材料主要攻关目标是 对o0．5胂颗粒更难以要求，且报废率仍 晶片镜面几何参数和洁净度。几何参数主要 在15％左右。因此，如何高效率、无副作 决定于设备，日本SPEEDFAM等，已实现 用、有效控制硅片镜面化学、健合吸附物问 了突破，而镜面洁净度一直是需要进一步提 题的理论与技术，已是VLSI、ULsI向高集 高的课题。 器件硅单晶衬底表面悬挂键，尤其刚抛 光新断悬挂键，能量高、活性强，它自发从 环境周围吸附一层物质。1916年朗格缪尔 (Langnmir)就发现固体表面剩余力场自发吸 附现象，这是客观规律。而单晶片由于高密 图l吸附物扩散形成钉子模型P-N结 度悬挂键的存在，表面吸附物很快成为极难 低击穿、管道击穿 去除的化学、键合吸附，以实现降低能量， 达到稳定状态，使吸附问题更难以解决。 吸附物在P-N结扩散制作时，形成钉子 模型，导致低击穿、管道穿、光刻产生针 孔，严重影响高集成、浅结化器件性能与成 品率，见图1。所以衬底镜面吸附物问题是 国内外非常重视而长期难以解决的技术难 图2损伤层愈深、悬挂键密度愈高， FAM、美国MEMC 吸附物愈多、愈难去除 题。较先进的日本SPEED ·124· 成、浅结化、高性能方向进一步发展急待解 继续反应。另外，为使抛光液流动性好、不 决的课题。 沉降加入悬浮剂；为防止金属离子对硅片晶 2理论分析研究 面沾污，加入一定的螯合剂。还有，在抛光 2．1对吸附体硅单晶片表面特性的分析研 过程中一般采用化学机械作用，在机械作用 究 下，有硅粉被作用下来；在抛光终止到硅片 由晶体结构分析得知，硅单晶属于金刚 清洗的时间内，硅抛光片除接触抛光液外， 石结构。对吸附作用与吸附状态影响最大的 还有冲洗存放时用的水与取片时触到的空气 参数是晶面悬挂键的密度，它对吸附力场的 内尘粒等，这些均为新抛光镜面的吸附质。 大小、吸附过程、吸附状态起着极重要作 它包括与硅同质的硅粉、无机盐类、氧化 用。在器件制