含气孔低温烧结基片的制备及性能.pdfVIP

由表5可见，CAS系的95氧化铝瓷的强度较低，而且基片的表面光洁度明显小于CMAS MgO的存在能够与Al：o，形成尖晶石结构分布在氧化铝颗粒的表面从而阻止氧化铝晶粒的 够抑制Mgo的挥发。综合以上分析，由于液相的存在，CMAS系的95氧化铝瓷料配方 的烧结性能和获得的基片性能均较好。 CAS系 CMAS系 SEM形貌 图4二种配方95A1203瓷断1：3 20 degree 图51575。C保温90分钟烧结的种配方95A1203瓷XRD分析 68cj 图6为CAS系基片的扫描探针显微镜的表面形貌分析；图7为优化工艺、采用粉体平 系晶粒之间无液相，所以表面粗糙度高，而CMAS系正相反，晶界存在液相填充，使表 面颗粒间起伏小，从而表面有较低的粗糙度，其表面粗糙度已达O．3岬以下。液相烧结致 密化过程对瓷体表面粗糙度影响可见示意图(图8) a瓷体表面粗糙度随温度的变化 Temperature b瓷体表面致密化过程 图8液相烧结致密化过程对瓷体表面粗糙度的影响模型 在低的烧结温度下，瓷体尚未达到致密化，晶粒间隙大，但此时液相数量也较多，这 些液相填充在颗粒的孔隙中，使表面颗粒间的起伏小，从而使表面有较低的粗糙度。随着 温度的升高，晶粒开始长大、如果表面的液相会由于挥发或者析晶等原因而减少，晶界将 里凹向，导致粗糙度上升；但同时瓷体致密化过程会使瓷体收缩晶粒间隙变小使粗糙度下 降，因此，在这段温度区间内随着温度升高瓷体表面粗糙度表现为先逐渐增大后减小，当 瓷体表面实现最佳致密化时。粗糙度达到最小。随着温度继续升高，瓷体表面开始出现过 烧现象，晶粒异常长大，而且孔洞开始增多，表面粗糙度又开始上升。如果在最佳烧结温 度下，能够选择不易挥发的液相，将能获得低粗糙度的基片。 4结论 氧化铝粉料的特性和配方对流延氧化铝基片的粗糙度具有重要的影响，采用粉体平均 粒径1．92pro，CaO--MgO-Si02为添加剂，有利于提高基片表面光洁度。 参考文献 1． Rao and R．Tummala，CeramicGlass—Ceramicinthe Packaging 1991，7415]：895—908 2， 李耀林，厚膜电子元件，广州：华南理工大学出版社，1990 690 含气孑L低温烧结基片的制备及其性能 郑元善汪桂军 中国建筑材料研究院高技术陶瓷所北京100024 摘要：本文研究了硼硅酸盐玻璃和氧化铝组成的玻璃陶瓷基片，研究其流延浆料的流变学性 能，采用流延工艺制备了含气孔的叠层结构的低温烧结低介电常数的基片。结果表明了这种 基片可在低温下900℃左右烧结，介电常数随着气孔含量的增加而降低．介电常数由2．8％ 气孔率的6．6降底到14．6％气孔率的5．5． 关键词：低介电常数， 低温烧结， 玻璃陶瓷基片， 气孔 1．前言 随着集成电路的发展， 微电子器件向着小型化，高密度和高讯号传播速度的方向发展， 这就要求低介电常数低温烧结的基片以满足高速讯号传播和采用高导电率导体像铜， 银， 金等引线的要求，八，九十年代，美国，日本许多公司“’研究了多种微晶玻璃和玻璃陶瓷 复合的低温烧结低介电常数的基片，介电常数在3，9～7。8的范围内。为了有效地降低材料 的介电常数，J．k．Yamamoto 介电常数的影响，取得满意的结果。本文研究了用流延成型工艺制各含气孔的叠层结构的硼 硅酸盐玻璃与氧化铝复合材料