红外光辐射法测量硅的表面温度研究.pdfVIP

制，保证了圆片制造的成品率稳步提高，在 为公司创造了客观上的经济效益。 现代化大生产中必将逐步替代6034的作用， 刊?矽吐．fzD．-7 红外光辐射法测量硅的表面温度的研究 —_———__●__--—_‘--‘_●--●一_—-_--一●_一_____--_一 ． 陈修治 朱爱平 王 燕 (浙江大学硅材料科学国家重点实验室，杭州310027)(浙江大学半导体厂) 摘要对于直拉硅单矗生长过程中单晶内部的温度分布的深入了解和有效控 制是控制直拉硅单晶中的位错和微缺陷的关冀。本文讨论了采用硅光电池作为传感 ● 器的红外光辐射潮温仅潮量硅单晶的表面温度时的测准问题，得羽了红外辐射温度 计所接收到，的辐射亮度信号大小与其相对于表面的取向无关的结论，提出了定量计 算反射信号对于红外辐射温度计实际测量得到的漫度的修正量的方法。 1光辐射法翻量硅的表面量度的意义 缺隐已被证明与生长过程中单晶内部的温度 直拉硅单晶中位镥的产生直接关系到单 。分布直接有关。因此，对于直拉硅单晶生长 晶的成品率，单晶中的徽缺陷直接关系魏单 过程中单晶内部的温度分布的深入了解和有 晶的质量和产品档次。随着集成电路集成度 效控制是控制直拉硅单晶中的位错和微缺陷 的不断提高，要求越来越大直径的硅片。大 的关键。为此首先必须建立可靠的分析研究 直径静耍求；给控制摹晶中的缺瞻增加了难 方法。 度，赢集虞赓又要求更低的缺陷密度。， 对于如何了解直拉硅单晶生长过程中单 直拉法生长的硅单晶中的位镥的产生及 晶内部的温度分布，国内外在实验测量和数 其密魔穗分布主要取决予生长过程审尊晶内 值计算这两个方面虽已做了许多工作但仍未 舔的鼍度分布所决定冉莹热应力分布，这一点 解决’，其原因在于： ． 已成为共讽。般认为直拉硅单晶中的徽缺 (1)实验测量困难，对于直拉硅单晶生 陷的成棱与生长界面处的温度渡动相联系， 长过程中单晶内部的温度分布的测量，只能 雨影确界面豫近熔硅中温度波动的主要因素 通过采用使热电偶随同晶体一起生长而固定 之一是熔硅中的温度棒度尊。关于徽缺陷的发 在生长中的单晶内部的方法实现。因而不能 展或生长则一般认为是一种点缺陷韵凝聚过 得到整个生长过程中的晶体内部各点的温度 程，或者认为与冷却过程有关、或者认为与 分布及其变化情况，且代价高昂。 沮度梯度有关、或者认为与晶体中的应力分 (2)借助于数值计算则模型过于复杂， 布有关；而如大家所知道的，生长过程中晶 且其边界条件为非线性的第三类边界条件， 体中的温度场和温度梯度分布决定了晶体的 加上很多参数不清楚，所以只能采取各种不 冷却过程、固液界面的形状、晶体中的热应 可靠的简化处理和近似。从而必然影响到结 力分布、过蔫的点缺陷浓度分布等等。特别 果的准确性。离开指导生长参数和热场结构 是近年来在大直径直拉硅单晶中发现的D 的优化还有距离。 ·236· 在对生长过程中单晶内部的温度分布的 2．1绝对黑体的光谱辐射亮度、普朗克定 各种已有的实验测量方法和数值计算工作进 律和颜色温度 行了调研的基础上，我们从尽可能地利用可 2．1．1光谱辐射亮度