双重喷射结晶器中硫酸铅晶体的二次成核现象.pdfVIP

双重喷射结晶器中硫酸铅晶体的 二次成核现象 摘要：借助硝酸铅与硫酸钠水溶液的反应研究硫酸铅沉淀，并观察晶体粒度和 粒度分布的变化。本次研究中，发生了二次成核，观测出发生二次成核的母晶 的最小粒度，并把它与表观过饱和度关联，表观过饱和度用铅离子和硫酸根离 子的进料流率与硫酸铅悬浮晶体的总表面积之比来表示。在设定的操作条件 下，讨论硫酸铅产品的平均晶体成长速率。 关键词：沉淀，二次成核，硫酸铅，晶体形状，晶体粒度 l引言 晶体产品质量是评价工业结晶产品的一个重要指标，其中晶体形状和晶体 粒度随初始晶核的成长历程而变化，当然，二次成核也影响产品的平均粒度。 本文立足于这些观点研究了硫酸铅的结晶并观察了结晶器中悬浮晶体的粒度和 粒度分布，同时考察了晶形的变化，讨论操作条件与标志产品质量的晶形和平 均晶体粒度之间的关系。 2实验 酸铅溶液，其组成如表2所示。搅拌转速为400rpm，结晶器中溶液在恒温浴 中保持温度333K。已准备好的指定浓度的硝酸铝和硫酸钠溶液以相同的流率 经各自管路进入结晶器，并在加料位置处被充分搅拌。采用间歇式操作，结晶 器中晶浆体积逐渐增加。开始进料后的某个特定时间，在悬浮晶浆中取样。滤 出晶浆样品的澄清液后，用硫酸铅饱和水溶液洗涤浓缩的晶体。得到的硫酸铅 晶体用显微相机拍照，并观测晶体粒度分布和晶形。这些实验的操作条件如表 1所示。 3实验结论与讨论 3．1晶体粒度分布 ． 进料浓度为o．3mol／l时，以产品晶体个数为基础的特定时刻晶体样品的粒 度分布如图2所示。前20分钟晶体样品的粒度分布形状相似，且取样时间越 靠后，粒度越大。当取样时间超过20min时，在分布曲线的小粒度区域上将出 现粒度分布的另一个峰。它也可移至较大粒度。后来出现的第二个峰可以认为 是结晶器中初始晶核成长的大晶体二次成核的结果。 3．2晶形的改变 由初级晶核成长的细晶，其形状如图3中形A所示，然后经形B转变成形 C，二次成核也是形C这样的大晶体产生的，二次晶核成长的最小晶体的形状 与形C相似。结晶器中这些形态可以用图3中形D来模拟描画。实验得到的硫 酸铅晶体形状用结晶器中晶体的总表面积S与简化模型晶体的总表面积S’来表 示，S’由假设的简化模型一个晶体的表面积与相当于硫酸铅沉淀总体积的那些 简化形状的晶体的数量之积来计算。这个修正形状因子S／S，与R／S的关系如 图4所示。关系曲线的起始点对应每次操作成核发生的时刻。成核点处，表观 初始晶核推测为3．8“111，这是以前报告中发现的最小粒度。 3．3结晶器中硫酸铅的二次成核 硫酸铅晶体的平均粒度由二次成核发生前后观测的粒度分布求出。二次成 核发生后观测到的粒度分布有两个峰，根据两峰问的最小值将分布曲线分为两 组，分别求出两个不同的平均晶体粒度。计算得到的较大的平均粒度推测是初 始晶核得到的，如图5中的固相线A，而较小的粒度是二次晶核得到的，如固 u 相线B。如果对应于表观初始晶核的晶体粒度3．8m也视作二次晶核的粒度， 那二次成核母晶的最小粒度可容易地推出，如图5所示。这样确定的最小母晶 粒度与R／S的关系曲线如图6。这些图线提供了二次成核的一些重要信息。 3．4间隙操作中硫酸铅平均晶体粒度 二次成核没发生时，平均晶体成长速率L矶与＆／S的关系如图7和图8 中的虚线。二次成核发生后，由观测数据绘出关系曲线，它偏离了虚线，见图 8。但晶体继续成长时，由实验数据得到的曲线接近假设为初级晶核成长的理 想线。这些工作对在同样的操作条件下预计得到的晶体平均粒度是有用的。 4结论 观测了问隙操作中硫酸铅晶体粒度分布和晶形的变化，研究了二次成核及 发生二次成核的最小母晶粒度，对生产出所需晶体的操作条件的决策提出建 议。 5符号表 S：悬浮晶体的总表面积 f“m2] Rf：铅离子和硫酸根