大面积有序生长纳米半导体材料的电化学制备及其应用基础的研究.pdfVIP

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2015-08-03 发布于安徽
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大面积有序生长纳米半导体材料的电化学制备及其应用基础的研究.pdf

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大面积有序生长纳米半导体材料的电化学制备及其应用基础研究童叶翔（中山大学化学与化学工程学院，广东，广州，510275, E-mail: chedhx@mail.sysu.edu.cn ）如何在宏观尺度基体上制备大面积有序生长纳米尺度功能半导体材料，已成为国内外半导体纳米材料领域普遍关注的重大科学问题和热点研究领域。电化学方法制备纳米半导体器件的特点优势：反应条件温和，绿色经济，形貌可控，非常有利于纳米器件制备。本报告简介了我们课题组2008 至2009 年通过电化学沉积技术，在 Cu ，Ni ，Ti 和 ITO 等宏观尺度基体上制备的 Sb[1], Bi Te [2], PbTe[3] , ZnO[4] ，Zn Cd O[5] ，Ce4+/ZnO [6] ，Eu3+/ZnO [7] ，CeO [8] ， 2 3 1-x x 2 Ce Zr O [9] , Gd3+/CeO [10] , MnO [11] , 等系列纳米半导体材料，构筑 ZnO/ZnS ，ZnTe/CdO ， 1-x x 2 2 2 CdS/CdTe ，PbS/PbTe 等复合纳米材料；研究了纳米尺度功能半导体材料的组成、形貌、相变与光学、 [12] 磁学性质的关系。，并探讨了其在超电容、催化、磁性、太阳能电池、分离技术等方面的应用。旨在发展和建立组成和结构可控、大面积有序成长的半导体材料的纳米制造技术。致谢：国家基金委 “纳米制造的基础研究”重大研究计划国家自然科学基金）广东省自然科学基金(9251027501000002) 参考文献： 1. Peng Liu, Kuan Zhong, Chao-Lun Liang, Qi-Qin Yang, Ye-Xiang Tong, Gaoren Li,and Greg A. Hope: Chem. Mater. 2008, 20(24), 7532-7538 2. Gao-Ren Li, Fu-Lin Zheng and Ye-Xiang Tong: Cryst. Growth Des.; 2008, 8(4), 1226–1232. 3. Gao-Ren Li, Chen-Zhong Yao, Xi-Hong Lu, Fu-Lin Zheng, Zhan-Ping Feng,Xiao-Lan Yu, Cheng-Yong Su, and Ye-Xiang Tong: Chem. Mater. 2008, 20, 3306–3314. 4. Xi-Hong Lu, Dong Wang, Gao-Ren Li, Cheng-Yong Su, Dai-Bin Kuang, and Ye-Xiang Tong: J. Phys. Chem. C, 2009, 113, 13574–13582 5. Gao-Ren Li, Wen-Xia Zhao, Qiong Bu, and Ye-Xiang Tong: Electrochem. Commun., 2009, 11, 282–285. 6. Gao-Ren Li, Xi-Hong Lu, Wen-Xia, Cheng-Yong Su and Ye-Xiang Tong: Cryst. Growth Des.; 2008, 8(4), 1276–1281. 7. Gao-Ren Li, Ci-Ren Dawa, Xi-Hong Lu, Xiao-Lan Yu, and Ye-Xiang Tong: Langmu