通过改变S％(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及其应用的研究.pdfVIP

第9届全国核电子学与校探涮技术学术年会论文集 通过改变si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电 粒子的方法及应用研究 王铁山 王志国 高东风’ ‘ (中国科学院近代物理研究所。兰州．730000) 本文重点研讨通过改变探澍器僖压，进而改变探浏嚣的PN节(有效探涓夏t区)厚度。宴现对带电粒子 的种类和能量鉴别的实验方法及其实际应用．实验测量了3MeV质子和6．05M帆柱子在金硅Ⅲ蛊探铡器 (Au)中的能撮与探舅器信压关系曲线．同时利用刘度过的探捌嚣鉴别，lc离子柬蠢击氘钛(T司队)靶发射的带 电粒子蠢谱．在很强的奉底情况下遗过调节探测嚣僖压(夏t区厚度)实现了对能量相近的不同带电粒子的 有效鉴别和测量． 关■调。金硅面垒探测器(Au)带电粒子鉴别D—D反应D—T反应 1引言 在棱物理实验中金硅面垒探溯器Si(Au)被广泛应用于对带电粒子的测量“’I】．但通常是 在全耗尽状态下使用口6～．因此，为了测量不同能量和种类的带电粒子．通常要选择不同厚度 的探测器t并利用多个探测器进行△E+E符合测量∞．这不仅对探测器提出丁特殊的要求。同 时也需要相对复杂的电子学系统的配合．既增加了所需设备的造价，又使测量变碍较为复杂． 尤其是当实验需要改变△E探测器的厚度时，必须特制多个不同厚度的△E探测器，并在实验 中多次更换．这会给实验带来许多不便和浪费． 由于金硅面垒探测器的PN级厚度与所加偏压呈一定的函数关系．因此通过改变探测器 偏压，可以有效地改变探测器的PN级厚度(有效探测灵敏区厚度)n】．利用带电粒子在同一探 测器的不同厚度灵敏区中的能掼变化，鉴别所探测的粒子的种类和能量．这样可以大大简化实 验方法和实验设备，迅速准确地测量较为复杂的带电粒子能谱．尤其是对测量精度要求不高或 定性测量中，该方法具有较高的实用价值． 2原理描述 金硅面垒探测器si(Au)是典型的PN级型探测器．其探测带电粒子的基本原理是通过收 集射线在PN级区产生的电子空穴对来实现对能量信号的测量，因此，探凋器灵敏区的厚度由 PN级厚度决定．对同一种带电粒子，探测器的输出信号幅度与带电粒子在节区所沉积的能量 呈线性正比关系．当探溯嚣处于全耗尽状态时，探测器的灵敏区(PN级区)的厚度等于探测器 的几何厚度．但是当探测器工作在非全耗尽状态时，探溯器的灵敏区厚度与有如下关系山： d丝c’(y+K)1，l(肿1) 其中d为灵敏区的厚度，c为常数(对N型硅为0．5，对P型硅为o．3)，户为材料的电阻 率．y是探测器外加偏压，砜为探浏器的固有内建电压． 182 当探测器的外加电压远远大于内建电压(y》K)时，上式可近似为： dS坌C(p矿)1n(弘m) 此时，探测器的灵敏区厚度与外加电压的平方根呈线性正比关系．因此，实验中可以通过 改变探测器的偏压有效地改变探测器灵敏区的厚度． 由于不同的带电粒子所具有的质量数和电荷数不同，其在探澍器中的线性能量沉积具有 明显的差别．因此，具有相同能量的不同种带电粒子在探测器中的射程有明显的差别．同样· 具有不同能量的同种带电粒子在相同路径上的能量沉积也有明显差别．所以。通过改变探测器 的有效厚度，可以实现对不同种类、不同能量的带电离子的鉴别．在以往的棱物理实验中，通常 的做法是利用一组不同厚度的探测器，通过更换探测器或利用符合望远镜的办法实现离子鉴 别的目的．这掸对探测器的厚度、电子学的配套设备都有较多的要求．但是考虐到半导体探测 器的是敏区可通过改变其外加偏压而得到连续改变这一特性，实际上可以利用改变偏压的办 法，将—个探溯器作为多个不同厚度的探浏器使用．利用同一探测器在不同偏压状态下测得的 能谱中峰位的相互关系及其随偏压变化的规律来确定每一个谱峰所对应的带电粒子性质和能 量． 3实验方法及实际应用 3．1实验方法 实验中需要使用到的设备包括：Si (Au)探测器、真空靶室，前置放大器、线性 放大器．多道分析器、加速器和标准源等． 实验测量系统框图如图l所示t 首先利用标准源对探测器做刻度，测 得已蜘能量的带电粒子峰位随探测器偏压