NiCr%2fTiW薄膜的电接触性能的研究.pdfVIP

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2015-08-03 发布于安徽
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NiCr%2fTiW薄膜的电接触性能的研究.pdf

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第七届全国表面工程学术会议 NiCr／TiW薄膜的电接触性能研究程广贵1．丁建宁1”，坎标1．王君雄‘．袁宁一1 [摘要] 块的纳米力学测试系统测试其力电耦合性能，分析了受力作用下薄膜材料的电学性能变化，实验表明，随加裁载荷的变化，薄膜材料表现出压阻效应，且加载速率越大压阻效应越明显，主要原因是金属薄膜在压力作用下发生晶格畸变，阻碍了自由电子的移动。TiSi化合物的存在显著降低了金属与半导体材料之间的接触电阻，在栽荷加载速率为350trN／s时可以在硅与金属薄膜之间观察到界面力学、电学行为特性，并且这些性质有随加载速率的提高而增强的趋势。 [关键词】 NiCr／TiW薄膜；电接触性能；界面效应；nanoECR；压阻效应【中图分类号]TGl74．444[文献标识码】A ontheEiectrlcal oftheNiCr／TiWFilms Contact Study Property Ningyi2 ChengGuangguil，DingJiarmin91”，KanBia01，WangJunxion91，Yuan (1．Micm／NanoScience＆TechnologyCenter，JiangsuUniversity，Zhenjiang212013，China； 213016，China) 2．JiangsuPolytechnicUniversity，Changzhou filmand NiCr／TiWfilmswerede- orderto theelectriccontactofbetweenmetal Abstract：Instudy semiconductor，a electrical onthesiliconsubstrate nanotribolab withnanoseale posited bymagnetronsputtering．A system，whichequipped ofthe contact wag to themechanical—electric resistance(nanoECR)module employedstudy properties ofthe underthenormal loadwas NiCr／TiWfilm electrical pie． property indenting analyzed．Resultsshow，the appeared zoresistive underthe behaved withthe ofload load．and mainly phenomenaindenting distinctly increasingv