SDB%2fSOI双极型晶体管可靠性评价.pdfVIP

SDB/SOI双极型晶体管可靠性评价 张鹏 ，‘章晓文’，李斌’，陈平 1华南理工大学应用.物理系 广州五山 510641 2信息产业部电子第五研究所 广州东莞庄路110号 510641 摘 要 本文根据国外的参考文献上的实验模型和实验结果，对目前国内较新的SOI/SDB双极型晶体管进行 可靠性评价实验，通过对反偏集电极电流Ic，反偏基极电流IR，正偏输出特性下的基极电流Is和电流 放大倍数日的测量，找出日和时间泛间的关系，从而推算出在各个偏压下，晶体管的使用寿命和日随时 间变化的情况，并且建立了初步的模型。 关键词 S0I，双极型晶体管，可靠性评价 1前言 随着科技的不断发展，集成电路的制作水平也是稳步提高，更新换代的速度也越来越 快，因此对器件的可靠性进行准确的，高效的评价是其发展的重要基础。本文对目前国内 比较先进的SDB/SO1双极型晶体管进行可靠性评价，并且建立了自己的模型来推算晶体管 的寿命。 2实验 本实验所用的器件为JF900NPN三极管，制作在4寸的硅片上，采用的工艺为硅一 硅直接键合(SDB:SiliconDirectBonding)、绝缘体上硅(SOI:SiliconOnInsulator)技术。 首先通过对国外文献、资料的研究，和本实验条件，确定实验方案，需测数据包括反 偏集电极电流Ic、反偏基极电流IR、正偏输出特性下的基极电流IB和电流放大倍数0. 实验中采用半导体参数测试仪 HP4155A施加反向偏压的应力，并进行晶体管的输出特性 曲线测试。实验共选择五个偏压，分别为VBH=-4.5V，-5.0V,-5.2V,-5.5V,-6.0Vo 首先施加应力20秒，在这20秒内记录IC和IR,20秒后再测晶体管的输出特性曲线，记 录0和IB，然后加30秒应力，在这30秒内记录Ic和IR,30秒后再测晶体管的输出特性 曲线，记录0和IB，如此反复。加应力的时间依次为20秒，30秒，50秒，100秒，300 模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(51433020101DZ1504) 秒，S00秒，1000秒，3000秒，3000秒，累计下来，相当于晶体管施加了8000秒的应力。 3实验结果与分析 通过测量，得到五组晶体管在不同应力下电流放大倍数0、集电极电流Ic、反向基极 电流IR(即Is)和正偏输出特性基极电流Is的随时间的变化关系，以t1/2IcIx为x轴变 化量，△0为y轴变化量的退化曲线如下: 方2 4 ‘ 6 4 2 0 0.00E+OOD.1.00E-014.2.00E-0143.00E-0144.00E-01; -2-0.00E+000一3.00E-014.一6.00E-014 aDE-Oi4 to.sICcIR 0t1 CcIR 变化情况 图1△。随t1/2ICIR变化情况 图2△。随t1/2IcIR (V,.=-4.5V (V，二一5.0V) : 3305 :2205 口 5 .