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三厘米高功率环行器的设计 都月香 王作单位。航天总公司二院23所^室 54 通讯地址:北京l42信箱203分箱8号邮骟;1008 摘要本文介绍了工作于次高场的三厘米高功率结环行器的设计.并给出了典墼的性能 P,260kwP。260W a+0.40dB a一2ldB带宽大予14%。 l 前言 在雷达和微波系统中,为了保护磁控管、速调管和行波管等高功率源,往往都需要高功 率环行器,高的峰值功率和平均功率,一般采用四端差相移环行器是很可靠的,但是这种器 件体积较大、重量重、成本也高。结型环行器具有体积小、重量轻、工作额带宽的优点,但 其承受功率不太高,尤其是铁氧体材料在高蜂值功率下非线性的出现是结环行器承受高峰值 功率的最大障碍,为了使结环行器达到预定的高峰值功率,要求铁氧体材料承受功率容量大, 1 苛刻的要求一般很难以满足。本文采取选择合适外磁场,使器件工作在次高场,获得良好的 效果,做出的三篷米结型环行嚣承受媾值功率P,2@OkWP。250w口+D。40dBo一2】dB 带宽大于1廿。 2离功率器件对铁蜒体材料的要求 结型环行器一般选择在低场区工作,当擞波场足够大时,铁氧体材料就会出现非线性效 应,如图一如示,导致插入损耗剧烈增加,使器件不能使用,发生次峰谐振的临界微波场用 下式表示。 hc=△H△V4ⅡM5 (1) 式中∞为工作频率△虬为自旋波线宽4a Hs为饱和磁化强度r为旋磁比。 从材料角度考虑,为了提度临界场hc,可采取二个措施,一是提高自旋波线菇,从配方及工 艺上改进,材料要掺杂,工艺上要采取措施。二是适当地降低材辩的饱和磁化强度,通常取 高功率器件归一化饱和P 低,影响器件正作带宽。 H●‘●● H r H 图一插入损耗髓外加场嘲关系曲线 新 3次高场工作的结环行器的设计 为了解决结环行器承受离功率问题,除在材料上进行政善外,还可采用改变外加磁场的 方法来提高微波临界场hc。 文献“]曾描述_I,高峰值功率环行器承受J打率的容量受外如磁场的主|=;响.微波临界场hc 与外加磁场舌关,如图2所示,从图中看出适当地选捧外加磁场可使器件的微波临界场hc提高 使结环行器工作在微波临界场hc截止的极限场H。与远商谐振场Hr之问就能使环行器承受功 率的容量提高。 图2临界场hc随外加磁场H的变化曲线 依据上述的考虑,我们根据下列公式选择铁氧体材料以及外磁场的大小,环行嚣在次高场工 1,11{j●{。Ir{{1 作时,铁氧体饱和磁化强度由下式决定 4托Ms=p o/r(∞I一∞/2) (2) 式中tpO一自由空间磁导率 ∞I--工作频率的下边频 ∞:一工作频率的上边频t 设工作频率为0600—9600社c,计算出4ⅡMs≈1300GS lit=∞/2.8+(N。-N,

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