微谐振型光纤传感器的研究.pdfVIP

vol L998年第12卷第2期 测 试 技 术 学 报 12No2 p98 一『『√占≯妒 微谐振型光纤传感器研究★ 1川ffl7 高金山 王家桢童诗白 (北方交通大学，北京100044)(清华大学，北京100084) 籀要本文研究了一种由光史激励并检测的微谐振型充纤传感器，说明了 利用卓晶硅制作微型硅谐振器的制作方法．在实验的基础．t分析了谐振嚣在 光激励下的振动机理，给出了测量压力参数的原理。 关羹谢光身传感嚣硅微结构谐振传感器 0引言 微型硅谐振传感器，具有频率输出、体积小便子集成化等特点；光纤传感器具有测 量精度高、航电磁午扰、适于易燃易爆场合韵特点。而本文所研究的则是兼有这两种传 感嚣优点的一种新型传惑器。：它钓基本原理是用光束激励微型谐振器使其在固有频率下 ， 振动．外界物理参数(加温度、压力等)对谐振嚣的固有_顿率产生影响，检测这种频率 的变化达到测量物理参数的目的。这种传感器的研究在国外进展很快【卜3]。国内开展这 方面的研究始子1990年f4]，本文在制作微型硅谐振器豹基础~上，研究了，谐振器的光激 励和检测河题，分析了光致微型硅谐振器振动的机理，探讨了测量物理参数的传感器结 构闯题。 1微型硅谐振嚣的制作 微型硅谐振器有许多结构形式．包括粱型、蝶型、浆型和薄膜型等。其制作方法包 括湿法刻蚀和等离子体刻蚀两种。制作薄膜型和尺寸比较大的微型硅谐振器一般采用湿 法刻蚀的方法：而制作比较小韵谐振器对采用等离子体刻蚀的方法。凋】为采用湿法刻 蚀制作硅膜谐振器的结构图。制作时．首先在fl 0 0)硅片的底面热生长一层二氧化 硅膜，再在膜上结合一层氮化硅膜。在硅片上面留下将要腐蚀的窗口，其余部分做成二 氧化硅和氮化硅楚膜。从‘i00)面腐蚀’可以得到V型的腐蚀断面，腐蚀所得到的谐 o一2 振膜底边宽度可孀下或计算：wh=W 74。，式中W。是腐蚀表面窗口的宽 Ictus4 度，l是腐蚀深度。可选用氢氧化钾、异丙醇及水做为腐蚀荆来制作硅谐振膜。采用这 种方法可埘毒I作效长为叠嘲．瑛厚度为0．6p-的谐振膜。 t如果把掩膜擞成条状，功l}l形成周支粱型谐振器，结构见图2．制成谐振器后，不 用去掉掩膜。所以谐振嚣实际上是由掩膜和谐振器本身的材料所组成的复合体。 谐振器制成以后，为了提高光激励的效率，需要在硅谐振膜丧面真空蒸镀一层金。 琢夏萄if『丽萄渤 。，～崩 (总第24期) 微薄振型光纤传感器研究(高金山等) 硅片 谐振膜‰掩膜 《a)谐振膜俯视髓 (o)沿k--k方向的截面腰 图1谐振模结构图 圈2周支桨结构的谐振器 2微型谐振器振动的检测 图3是研究微型谐振器振动特性的实验设置。图中LD为半导体激光器，傲为谐振 器振动的激励光源．其输出光束经过聚焦透镜照向徽谐振梁的中点。当调节半导钵激光 器的电源，使所产生的调制光韵频率接近或等于锨谐振器的固有频率时，谐振器产生振 动。 ffe-“e激光器做为检测光源．它的光束经分光棱镜Bs