_族硒化物薄膜地的研究进展_张叶.pdfVIP

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5 3 ( ) Vol. 5 No. 3 2006 9 JOU RNAL OF T AIYUAN NORMAL UNIVERSIT Y ( Natural Scie ce Edit io ) Sept . 2006 Ⅱ-Ⅵ族硒化物薄膜的研究进展 张 叶 ( 太原理工大学 应用物理系, 山西 太原030024) 文章阐述了以Z Se 和CdSe 为代表的Ⅱ-Ⅵ族硒化物薄膜的最新发展和研究现状, 从 用、性能及其工艺等方面分析了它们的优势和不足之处, 最后对Ⅱ-Ⅵ族硒化物薄膜的发展趋势 进行了讨论和预测. Ⅱ-Ⅵ族硒化物薄膜; Z Se 薄膜; CdSe 薄膜; 用; 工艺 1672-2027( 2006) 03-0077-03 484. 1  O A 0 , 2 ( ) . CuI Se CIS CdT e . 1976 , , , 5 %21 % . . , . 20 80 , GaAs 2 ( ) , - CuI Se CIS . . , CIS CIS 18. 8 % . GaAs 24. 2 % . , . 20 90 , 15. 8% CdT e , CdTe - [ 1] . , , , VI ( Se) . 1920 , , 20 , 30 . . , , , , . , , , Z SeCdSe -, . 1Z Se 1. 1Z Se , Z Se 2. 7 eV, , . 60 , Park Cha Z Se . , Shazly Ke awy Z Se . Natarajar Z Se . M i oScott Sibata Z Se , Z Se/ / . , . , Ge Z Se GaAs Rumbury Z Se CIGSS , Z O/ Z Se/ Cu( I Ga) ( SeS) 2 . , Z Se-CIGSS 9. 6 % , Voc = 482 mV, Isc = : 2006-05-14 : ( 1978-) , , , ,. 78 ( ) 5 3 [ 2] 31. 0 mA/ cm , FF= 64 % . Z Se , , , . 1986 A derso Z Se ; 1988 Peyshambaria 150 K , M BE Z Se . Z Se/ Z CdSe , , . [ 3] / , - . Wa g Z Se Z CdSe Z Se Z CdSe - 394 . , Z Se Z CdSe K Lozykowki Z Se/ Z 0. 86 Cd0. 14Se Z 0. 86Cd0.

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