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2015-08-06 发布于安徽
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立方相InGaN的时间分辨光谱的研究.pdf

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立方相InGaN的时间分辨光谱研究徐仲英刘宝利李建斌杨辉郑蛊真中国科院半导体所超晶格实验室北京912信箱100083 葛惟昆香港科技大学物理系摘要 InGaN是制备GaN基蓝绿光发光、激光器件的重要材料。我们用时间分辨光谱和稳态光荧光研究了其发光特性和复合发光寿命，实验发现： 1、荧光衰退过程呈现双指数过程，测得的低温时间常数(荧光寿命)分别为50ps和200～ 350ps,后者与ln组份有关，In组份较高时，寿命较短，随温度变化较小，反映了激子的局域化效应。而发光的快i生程(～50ps)则与光致载流子被材料中的杂质、缺陷俘获有关。 2、低激发时，发光强度随激发强度增加呈现明显的非线性增强，反映了样品中存在的非辐射中心的饱和过程。 3、研究了激子发光的局域化特性，相应局域化能量为55meV。 4、此外还研究了发光带隙随温度的变化，tE-e-一的变化规律反映了复合发光的多中心特性。立方相InGaN的时间分辨光谱研究作者：徐仲英，刘宝利，李建斌，杨辉，郑宝真，葛惟昆作者单位：徐仲英,刘宝利,李建斌,杨辉,郑宝真(中国科院半导体所超晶格实验室(北京))，葛惟昆(香港科技大学物理系) 本文链接：/Conference_4937.aspx