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第 卷 第 期 半 导 体 学 报
26 1 VOl.26 NO.1
年 月
2005 1 C~INESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan. 2005
非晶硅碳! 薄膜光学
a-siC = H
常数的透射谱表征%
!
胡志华1 2 廖显伯1
中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心 表面物理国家重点实验室 北京
1 100083
云南师范大学太阳能研究所 昆明
2 650092
摘要#报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度 折射率 吸收系数和光学带隙等光学常数的方
法和程序 这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系 所有公式均为解析表达式 便于进行数据处理 .
无须专用软件 使用 EXcel 即可完成 适用于多种半导体薄膜材料 将这种方法应用于. PECVD方法制备的非晶硅
碳 薄膜 对其光学特性进行了分析
a-SiC ~ .
关键词#光学常数 透射谱 非晶硅碳薄膜
PACC 7865M 4230N 4210J
中图分类号# + 文献标识码# 文章编号# !
TN304.2 4 A 0253-4177 2005 01-0034-04
数值拟合 从长波区外推到接近带边吸收的短波区
1 引言 从而用Tauc 图确定光学带隙.
氢化非晶硅碳 a-SiC ~ 合金是一种带隙可 2 光学模型
调节 机械强度和化学稳定性好的新型功能材料 因.
其在大面积电子器件中具有潜在应用价值 这种材
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