聚焦离子束淀积Pt薄膜性质的研究.pdfVIP

聚镇离子柬淀积Pf薄膜件质的埘究 摘要 摘要 ■ 聚焦离子束(FIB)是进行亚微米及深亚微米器件进行微分析和微加工研究 的强有力工具。FIB淀积Pt薄膜是FIB集成电路修改的基本手段之一。利用聚 焦离子柬淀积Pt薄膜的功能，可以将IC集成电路内部金属连线引出器件表面， 使需要的金属层之间形成通路，达到电路修改的目的，或者制作探针测试脚以供 测试分析。 本论文对FIB不同离子束流下淀积Pt薄膜的性质，从薄膜的体积、厚度和 淀积速率；薄膜的成份；薄膜的电阻三个方面进行了较全面的研究。 Pt薄膜淀积的过程中，与淀积同时存在的溅射刻蚀效应使得淀积形成的Pt 薄膜无论厚度或者体积都与实验预期设定值发生偏离，小束流(≤350pA)下形 ● 成的薄膜厚度与体积较设定值大，而大束流(≥1000pA)时则较小。随着离子 束流增大，辅助气体反应速率更快，从而淀积速率逐渐上升；但是离子束流增大 也使溅射刻蚀效应更明显，导致Pt薄膜厚度和体积不断下降，同时Pt薄膜边缘 的扩展幅度更大，形貌失真越多。 Pt薄膜并非纯净的Pt，主要含有c、Pt和Ga三种元素。其中原子百分比含 量最高的是为C，占三分之二左右，Pt含量约为30％，其余为Ga原子。C原子 来自反应不完全的辅助气体分子，Ga原子则是高能离子入射产生注入效应引起 的。辅助气体分子随着离子柬流增大反应更完全，因此当辅助反应气体流量不变 时，Pt的含量随离子束流增大而增加，C的含量则随之减少。束流增大也会引起 ● 离子注入效应更明显，Ga原子含量增加。 Pt薄膜的电阻比纯净Pt要大得多。实验证明两探针法测电阻对于Pt薄膜并 不适用，并研究了多种测量微区薄层电阻的方法，得出改进的范德堡法较为符合 FIB淀积Pt薄膜电阻的测量。 关键词：聚焦离子束，铂薄膜，淀积，离子束流 中图分类号：TN307 聚焦离了柬淀积Pt菏膜件质的研究 Abstract The usesfocusedion for semiconductorindustry beam(FIB)systemsmany ■ electron creationofsite transmission specific microscopy applications，including cross and mask tOrerouteelectrical sections，x—rayphotolithographyrepair，and currentforcircuit willalsobevaluabletoolsfornanofabrication systems testing．FIB indefined and duetotheir toetchand material