大直径石墨热场单晶生长工艺研究.pdfVIP

大直径石墨热场单晶生长工艺的研究 苏金玉昝武陈洁阮善斌程小理 (特变电工新疆新能源股份有限公司830011新疆乌鲁木齐) 摘要：针对大直径石墨热场进行8英寸单晶硅棒生长工艺进行了研究和探讨，分析了单晶炉内 热对流、温度、工艺参数对于单晶生长的影响，对一系列预设工艺参数进行了验证，最终确定出了 一套稳定的sOP工艺参数，适用于大直径石墨热场进行8英寸无位错单晶硅棒的生长。 关键词：大直径热场热对流中200mmSOP参数 1引言 合最佳经验数据对SOP表中各项拉晶工艺参数 目前多数光伏企业批量使用22英寸石墨 进行了预设，采用全自动拉晶工艺，均匀控制 热场进行8英寸单晶硅棒的拉制，直拉硅单晶 过程中的各项工艺参数的变化。 仍在向着高纯度、高完整性、高均匀性和大 2．2石墨热场配置 直径的方向发展”1，大直径的单晶硅片可以极 石墨热场决定着整个单晶炉内热环境的质 大地提高芯片产量，降低太阳能电池组件的 量。热场设计理论上，晶体直径：坩埚直径 成本，提高其转换效率，给组件厂家带来极 =1：2．5～3p1，以目前8英寸单晶为例，理论上需 为显著的经济效益，如此情况下，大直径单 要20一24英寸石墨热场。等径生长过程中经常 晶硅片的一系列优越性能得以发挥，单晶硅 由于晶体中热应力超过了硅的临界应力而产生 片朝着增大直径和提高品质的方向发展，大 位错，晶体中热应力与晶体生长的热环境有直 直径的单晶硅片将逐渐占领市场，成为未来 接的关系。轴向温度梯度不引起位错的条件分 市场发展的主导。 别是：p／b×dWdZ≤Tc，Gbr式中，B是硅的热胀 随着单晶硅棒直径的增大，热对流现象 系数，b是柏格斯矢量的绝对值，G是切变摸 严重，晶体直径增大使晶体内的热量不能及 量，Tc是硅的临界应力，提晶体半径p1。晶体 时散发出去，就会产生比以往小尺寸硅单晶 直径的增大，必然要求轴向梯度的减小。实验 更大的温度梯磨，而晶体生长界面的形状、 过程中，我们对各个石墨部件的结构工艺参数 温度分布、晶体中氧缺陷的浓度和均匀性等 进行了优化，同时对热场保温材料及保温结构 均与对流状态密切相关，这样就会使晶体内 进行了优化，增强了热场的保温性，确保单晶 外热膨胀差异产生热弹性应力，经常会导致 硅棒的无位错生长。 晶体内诱生位错和点缺陷的产生，同时过高 2．3石英坩埚品质的提升 的应力也会使晶体在切片或磨片过程中发生 使用大直径石墨热场进行大直径晶体生长 碎裂口】，因此必须通过对单晶生长过程不同阶 过程中，石英坩埚的强度、使用寿命及熔料工艺 段的气流、生长速率、旋转、温控等各项工 都非常重要，随着单炉投料量的增加，石英坩埚 艺参数进行摸索调整，从而确保大直径单晶 单位面积承受的重力相对增大，尤其是熔硅与 的无位错顺利生长。 石英坩埚之间的反应更加剧烈，从而形成更大 2实验过程及分析 面积的方石英结晶，其若脱落掉至溶液内，会 2．1实验方法及预设工艺参数 使单晶内部产生位错，甚至导致单晶生长中 使用100型单晶炉，安装24英寸石墨热断，这就要求坩埚内表面有较好的光洁度，为 场，通过直拉法(CZ法)进行8英寸P型了提高石英坩埚的使用寿命，我们首先在石英 100晶向太阳能级单晶硅棒的生长实验，结坩埚内壁上涂一层含有结晶水的氢氧化钡，反应 504 方程式如下：Ba(OH)2