退火对高Co含量Ti1-xCoxO2磁性半导体的影响.pdfVIP

维普资讯 第 57卷 第 7期 2008年 7月 物 理 学 报 Vo1．57，No．7，July，2008 1000—329O，2008，57(07)／4534—05 ACTA PHYSICA SINICA @2008Chin．Phys．Soe． 退火对高 Co含量 Til—CoO2磁性半导体 的影响* 宋红强 王 勇 颜世申 梅良模 张 泽 1)(山东大学威海分校空间科学与应用物理系，威海 264209) 2)(山东大学物理与微 电子学院，济南 250100) 3)(中国科学院物理研究所 ，北京 t0ot9o) 4)(澳大利亚昆士兰大学工学院 ，澳大利亚) 5)(北京工业大学 ，北京 100022) (2007年 lO月 9日收到 ；2007年 l1月 19日收到修改稿) 利用磁控溅射仪制备了高 co含量 的 c o2磁性半导体样 品，并对样 品分别在 200C~，300~(2和 400~C进行 退火研究．使用透射电子显微镜(TEM)对退火前后样品的结构进行表征，并用 X射线光电子能谱(XPS)对退火前后 样品中co元素的化学状态进行鉴定．结果表明高 co含量的 ，一coo2磁性半导体处于一种亚稳状态 ，300~(2以上 的温度便使其结构与成分发生 巨大变化 ．利用超导量子干涉磁强计 (SQUID)测量退火前后样 品的磁特性，结果表 明 样品的磁性有 了明显的变化 ，这源于磁性产生 的不同机理 ． 关键词：磁性半导体，退火，磁性 PACC：7550P，6170A，7490 温退火使 c0离子进入 到 TiO，晶格 中去 ．所 以利用 1．引 言 离子注入与脉冲激光沉积等两种办法制备 了Ti。一 CoO，样品．结果退火以后 ，根据 x射线吸收，透射 自旋电子学基于磁学和微电子学 ，主要研究 自旋 电镜 以及XMCD等判断出样 品中的co元素却是以 极化电子在介观尺度下的输运特性 ，以及设计开发在 co团簇的形式存在 ．这完全不同的结论告诉我们 这种新的机理下工作的器件 ．在相关的 自旋 电子材料 关于退火对 TiO，基磁性半导体 的影响结果并不是 与 白旋电子器件物理中，磁性半导体被认为是最有可 单一的，不能一概 而论 ．不 过 Shinde和 Kim所研究 能实现用 自旋 自由度来制造 自旋电子器件的主导材 的都是 co含量比较低的样品，在本文 中将研究退火 料．因此，磁性半导体的相关研究成为国际凝 聚态物 对高 C0含量的TiO，基磁性半导体样品的影响 ． 理领域的一个热点．在各类磁性半导体 中，Ti02基磁 性半导体是一个 比较热门的研究领域n ． 2。实 验 研究表明对于TiO，基磁性半导体材料而言，退 火对样品的结构和性能有很大的影 响．至于产生什 2．1．样品制备工艺 么样 的影响 ，目前的研究结果不仅没有一致的结论 ，