退火温度对Pt／SrBi2Ta2O9／BiaTi3O12／p—Si异质结微观结构与性能的影响.pdfVIP

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2015-08-15 发布于北京
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退火温度对Pt／SrBi2Ta2O9／BiaTi3O12／p—Si异质结微观结构与性能的影响.pdf

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维普资讯第23卷第4期无机材料学报 Vo1．23．No．4 2008年 7月 JournalofInorganicMaterials Ju1．20()8 文章编号：1000—324X(2008)04-0700—05 退火温度对 Vt／SrBi2Ta209／Bi4Ti3012／p—Si异质结微观结构与性能的影响任明放，王华 (桂林电子科技大学信息材料科学与5-程系，桂林 541004) 摘要：采用 sol-gel工艺制备了Pt／SrBi2Ta2Og／Bi4Ti3012／P—Si异质结．研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和～特性等的影响．研究表明：成膜温度较低时， SrBi2Ta209、 Bi4Ti3012 均为多晶薄膜，但随退火温度升高， Bi4Ti3012薄膜沿 c轴择优生长的趋势增强；经不同退火温度处理的 Pt／SrBi2Ta209／Bi4Ti3012／p-Si异质结的 — 曲线均呈现顺时针非对称回滞特性，且回滞窗口随退火温度升高而增大，经700。C退火处理后异质结的最大回滞窗口达0．78V；在550~700。C范围内，Pt／SrBi2Ta209／Bi4Ti3012／ P—Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降，当退火温度超过 650。C后漏电流密度明显增大，经 650。C退火处理的异质结的漏电流密度可达 2．54×10。A／cm 的最低值．关键词：退火温度； SrBi2Ta209；Bi4TiaO12；异质结中图分类号：TM22，TN304 文献标识码：A EffectofAnnealingTemperatureon Structureand Propertiesof Pt／SrBi2Ta209／Bi4Ti3012／p—SiHeterostructure REN M ing—Fang，W ANG Hua (DepartmentofInformationMaterialScienceandEngineering，GuilinUniversityofElectronicTechnology，Guilin 541004，China) Abstract：Pt／SrBi2Ta209／Bi4Ti3012／p—Siheterostructureswerefabricatedbysol—gelmethod．The effectsofannealingtemperatureonmicrostructure，crystalgrowthbehavior，leakagecurrentdensity， andC——VcharacteristicsofPt／SrBi2Ta209／BiaTi3012／p—Siheterostructurewereinvestigated．The SrBi2Ta209／BiaTi3012multilayerthinfilmsannealedatlowtemperaturearepolycrystalline，andgrow inthepreferred c-axisorientation with theincreaseofannealingtemperature．TheC ——V curvesof Pt／SrBi2Ta209／BiaTiaO12／p—Siheterostructureannealedatvarioustemperaturesallshowaclockwise ferroelectrichysteresisloop．ThewidthsofC——Vhysteres