退火温度对CsI（T1）薄膜微观结构和闪烁性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第 23卷 第 4期 无 机 材 料 学 报 Vol_23．NO．4 2008年 7月 JournalofInorganicMaterials Ju1．，2008 文章编号：1000—324X(2008)04—0749—04 退火温度对 CsI(T1)薄膜微观结构和闪烁性能的影响 程 峰 ，一，钟玉荣 2，王 宝义 2，王天民3，魏 龙 2 (1．兰州大学 物理科学与技术学院，兰州 730000；2．中国科学院 高能物理研究所，北京 100049 3．北京航空航天大学 理学院，北京 100083) 摘 要：采用真空热蒸发法制备了CsI(T1)薄膜，然后进行了不同温度的真空热处理．用x射线衍射仪、扫描 电子显微镜、x射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对 CsI(T1)薄膜样品进行了分析，并测得了样品的光产额． 结果表明，该 CsI(T1)薄膜沿 (200)晶面择优取向生长．经过较低温度退火，CsI薄膜中的Tl离子向薄膜表 面扩散 ，薄膜中缺陷数量增加，且尺寸较大，光产额略微增高．经过 250。C退火，薄膜中低温退火所形成缺陷 得到恢复，薄膜缺陷尺寸变小，且数 目减少，具有较好的结晶状态，光产额提高．经过 400。C退火，薄膜结构 发生显著变化，薄膜 中缺陷大幅增加，结晶状态变差， Ti 含量减少，光产额急剧下降． 关 键 词：CsI薄膜；微观结构；闪烁性能 中图分类号：0484，TL812 文献标识码：A EffectofAnnealing Temperatureon theM icrostructureand Scintillation PropertiesofCsI(T1)Films CHENG Feng．-，ZHONG Yu—Rong。WANG Bao—Yi。WANG Tian—M in。W EILong。 ， ， ， (1．SchoolofPhysicalScienceandTechnology，LanzhouUniversity，Lanzhou730000，China；2．InstituteofHigh EnergyPhysics，ChineseAcademyofSciences，Beijing100049，China；3．SchoolofScience，BeijingUniversity ofAeronauticsandAstronautics，Beijing100083；China) Abstract： CsI(T1)filmswerepreparedbythermalevaporationandannealedatvarioustempera- tures．Structureandscintillationpropertiesofthefilmswereexam inedusingX—raydiffraction，scanning electronmicroscope，X—ray fluorescencespectrom etry，positron annihilation lifetimespectroscopeand scintillationpulseheightspectrometry．Resultsshow thattheCsIfilmsareinmicro—columnarstructure withapreferential(200)orientation．Whenthesampleisannealedat150。C，T1+ionsdiffusetothe samplesurface．Consequently，theamo