退火温度对掺氮ZnO薄膜结构和光电特性的影响.pdfVIP

维普资讯 第 29卷 第 7期 半 导 体 学 报 V01．29 N0．7 2008年 7月 JOURNAL OFSEM ICONDUCTORS July，2008 退火温度对掺氮 ZnO薄膜结构和光电特性的影响* 钟 声 徐小秋 孙利杰 林碧霞 傅竹西t (中国科学技术大学物理系 ，合肥 230026) 摘要 ：采用 Zn。Nz热氧化法在直流磁控溅射没备 制备 了掺氮 ZnO薄膜 (ZnO：N)，研究了不 同退火温度对样品结构和 光 电特性的影响．x射线衍射谱(XRD)结果表 明，Zn。N。在 600℃以上退火即可转变为 ZnO：N薄膜 ．x射线光 电子能谱 (XPS)发现，在热氧化法制备的 ZnO：N薄膜 中，存在两种与 N相关的结构 ，分别是 N 原子 替代 0(受主)和 N。分子替代 0 (施主)，这两种结构分别于不同的退火温度下存在，并且 700℃下退火的样品在理论上具有最高的空穴浓度 ，这一点也由霍 尔测量结果得到证实．同时，从低温PL光谱中观察到了与 N。受主有关的导带到受主(FA)和施主．受主对 (DAP)的跃迁， 并由此计算出热氧化法制备的ZnO：N薄膜中的N。受主能级位置． 关键词 ：热氧化 ；ZnO；XPS；受主能级 PACC：8115G ；3365F；7840 中图分类号 ：TN304．2 5 文献标识码 ：A 文章编号 ：0253．4177(2008)07．1330．04 真空室内背底真空抽至 6X10 Pa，经过 20min的预溅 1 引言 射之后在 A1。o。衬底上生长 Zn。N。薄膜 ．生长 时衬底 温度控制在 350℃，溅射功率为 30W ，经过 1h生长后得 近年来，宽禁带半导体材料 ZnO受到人们的广泛 到的薄膜厚度约为300nm． 关注．因其具有室温下 3．37eV 的禁带宽度和 60meV 本文中X射线衍射谱 (XRD)由 日本 MACSCI． 的激子结合能，因而在紫外发光器件方面具有巨大 的应 ENCE公司M18X型 x射线衍射仪测量得到 ，x射线 用前景_1]．但如同很多其他的宽禁带半导体材料一样 ， 光 电子能谱 (XPS)由英 国VG公司生产 的ESCALAB． ZnO通常呈现 n型 电导．目前，高质量的、稳定 的P型 MKII电子能谱仪获得 ，通过霍尔效应测量得到 了样 品 掺杂对于 ZnO仍然较为困难，这极大地制约了ZnO基 的载流子浓度 ，低温下发光光谱采用波长为 325nm 的 短波长器件的发展．为此，国内外研究人员尝试 了多种 He．Cd激光器激发． 制备工艺和掺杂手段 ，在众多的掺杂元素 中，N 以其具 有和 。相似 的原子半径 以及理论计算较浅 的受主能 3 结果与讨论 级 ，成为最有可能获得高质量 P型 ZnO 的元素．然而 ， 在生长过程 中，进行原位掺杂往往难 以得到很高 的N 图1给 出了制备 的 Zn。N。以及退火后薄膜 的 受主浓度 ，ZnsN 热氧化法则有效地克服了这一缺点， XRD谱，从 图中可以看出，退火前XRD 出现了Zn。N 并且可以通过控制后期退火条件改变 N在 ZnO 中的 (321)，(640)等衍射峰，并没有观察到与ZnO相关的衍 浓度．虽然 国内外 已有研究人员做 了这方面的工作 ]， 射峰，说 明直接溅射生长 的是多 晶 Zn。N。薄膜．经 但是 ，并没有涉及这种方法制备的ZnO：N薄膜中的N 600℃退火后 ，样 品中与 Zn。N。相关 的衍射峰全部消 的化学状态、形成机制以及它们对薄膜 的光电特性 的影 失 ，取而代之的是 ZnO(101)，(002)，(100)等衍射峰， 响，本