生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响.pdfVIP

半导体学报 V01．28 第28卷增刊 Supplement 2007年9月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Sep．，2007 王莉莉’ 王 辉 孙 苋 王 海 朱建军 杨 辉 梁骏吾 (中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室，北京 100083) 摘要：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，在GaN／蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜，并研究了生 长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响．实验中发现随着生长温度的降低，InGaN薄膜中的 In组分提高，但结晶品质显著下降．x射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0．57时也没有 发现相分离现象，光致发光(PL)谱测量的结果表明lnGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动，半 高宽随着In组分增加而增加． 关键词：InGaN；X射线衍射；光致发光 PACC：7850G；6110；7855 中图分类号：TN304．2+3文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2007)SO．0257．03 质量，利用光致发光谱(，PL)研究了InGaN样品的 1 引言 发光特性． III族氮化物是宽禁带直接带隙材料，其物理和 3结果与讨论 化学性质稳定，在光电子领域和电学器件方面有着 广阔的应用前景．特别是InGaN合金发光效率高， 图1给出了在550～700℃生长温度范围内通 室温下禁带宽度可从0．7eV扩展到3．4eV[1]，发光 覆盖红外到紫外的波段范围，通常用作LED，LD等摇摆曲线的半高宽(FWHM)随生长温度的变化．从 光电器件的有源区，是制作高效光电器件的理想材 图中可以看出，In组分随着生长温度的升高而降 料之一，因此受到了广泛的关注．但是，由于缺少晶 低，这说明在其他生长参数不变的情况下，生长温度 格匹配的衬底材料，含高In组分InGaN的生长是对于InGaN外延薄膜中In的并入有着重要影响． 非常困难的，而且研究发现InGaN生长过程中In因为高温下In—N键变得不稳定，而且In原子的 组分分布存在涨落，容易出现相分离现象[2~4]．为了解吸附速率亦会随着生长温度的升高而加快，所以 更好地理解MoCVD生长InGaN过程中对组分等 产生影响的各种因素所起的作用，本文研究了生长 温度对lnGaN薄膜的In组分、结晶质量以及发光 特性的影响． o ￥ 芝 2 实验 工 ≥ ‘ 鼻011一碑o^吾—8口_f 生长在水平式MoCVD反应室中进行，生长反 应室压力保持在1个大气压，生长