陷阱电荷对GMLM工作电压的影响.pdfVIP

维普资讯 第 29卷 第 7期 半 导 体 学 报 V01．29 N0．7 2008年 7月 JOURNAL OF SEM ICONDUCT0RS July，2008 陷阱电荷对 GMLM 工作 电压 的影响* 张 洁 黄尚廉 孙吉勇 张智海 朱 永 (重庆大学光电工程学院 光电技术及系统教育部重点实验室 ，重庆 400030) 摘要：光栅平动式光调制器 (GMLM)依靠可动光栅在静 电力作用下向下反射镜移动，从而改变光程差，实现光调制．结构 中SiO 绝缘层在外加 电场作用下产生陷阱电荷 ，对器件的驱动特性产生影响．作者依据高斯定理，建立 GMLM 存在陷阱 电荷情况下的电力学模型，分析 了外加 电场作用下，GMLM 极板 电荷 的分布 ，以及外加 电压与可动光栅位移 的关系；比较 了两种情况下(考虑与不考虑绝缘层陷阱电荷影响)工作 电压变化情况．设计了实验方案 ，进行了实验研究．结果表明：由于 陷阱电荷产生陷阱电压 ，使得产生相同位移需要的工作 电压增加 ；充电时间越长，陷阱电荷产生的陷阱电压越大；实验结果 与理 论分析吻合 ． 关键词 ：光栅 ；陷阱电荷 ；工作 电压 PACC：0710C；4110D EEACC：4145；5110 中图分类号 ：0436．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：0253—4177(2008)07-1377—06 为形成空气层的牺牲层，其厚度为通过控制空气层的厚 1 引言 度来控制下反射镜和上层可动光栅的距离；溅射、光刻 硅铝 ，形成上层光栅 ；释放牺牲层 ．加工后 的器件阵列扫 近年来 ，随着微机 电系统 (micro．electro-mechani- 描 电镜 图如图1(b)所示 ． calsystems，MEMS)技术 的成熟和投影显示技术 的发 展 ，面向显示基于 MEMS的光调制器 已成为当前研究 的热点之一 _1~4]．重庆大学提 出的基于 MEMS的光栅 平动式光调制 器 (gratingmovinglightmodulator， GMLM)_5~7]，通过改变可动光栅和下反射镜 (面)的距 离来实现对光能量的调制． 驱动特性是 GMLM器件 中一个重要 问题，其 中工 作 电压是影响GMLM 驱动特性 的一个主要 因素 ．因此 有必要对 GMLM工作电压进行详细 的分析 ，为驱动电 路设计及改善和提高调制器的工作性能提供依据 ． 文献[8，9]进行了 GMLM工作 电压的分析，但是 忽略了绝缘层 siO：在外加 电场作用下产生陷阱电荷 的 影响．本文根据实际工艺制作 出来 的GMLM 器件 ，建 立完善的电力学模型，并设计实验方案 ，对工作 电压进 行分析和实验研究． 2 GMLM 结构和原理 GMLM器件单像素结构如图1(a)所示，主要 由1 衬底、2绝缘层、3悬臂梁、4下反射镜、5可动光栅组成． 可动光栅 由4个按顺时针排列 的悬臂梁支撑 ，并与下反 (b) 射镜一起构成相位可变 的相位光栅 ．在 P型硅片 的 100)面上氧化形成氧化层 ；溅射 、光刻硅铝 ，形成下反 图 1 (a)单像素 GMLM器件结构；(b)GMLM 阵列扫描 电镜图 射镜 ；PECVD一层 SiO2，该层起绝缘作用 ，防止上层的 Fig．1 (a)SinglepixelofGMLM structure；(b)SEM photoof GM LM array 可动光栅在下