808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析_张金胜.pdfVIP

34 12 Vol. 34 No. 12 第 卷 第 期 发 光 学 报 2013 12 Dec． ，2013 年 月 CHINESE JOUＲNAL OF LUMINESCENCE 文章编号:1000-7032 (2013)12-1636-05 808 nm 垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析 1 ，2 1* 1 1 1 1 ， ， ， ， ， 张金胜 宁永强 张金龙 张建伟 张 建 王立军 (1． ， 130033 ; 发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 吉林长春 2 ． ， 100049) 中国科学院大学 北京 摘要: 808 nm InGaAlAs (VCSEL) ， 为了研究温度对 垂直腔面发射激光器 列阵输出特性的影响 通过变温塞耳 InGaAlAs VCSEL 。 ， 2 × 2 808 nm 迈耶尔方程计算了 量子阱 的温度漂移系数 采用非闭合环结构 制备了 的 垂 ， 60 m 。 ， 、 直腔面发射激光器列阵 每个单元的出光口径为 μ 通过热沉温度调节 对不同温度下的列阵激射波长 。 20 ℃ 、 50 s 、 100 Hz ， 光功率以及阈值电流进行了测量 在温度为 脉宽为 μ 重复频率为 的脉冲条件下 列阵的 56 mW ， 808． 38 nm ， 2 ． 5 nm ， 22 mW 。 最大输出功率达到 中心光谱值为 光谱半宽为 连续输出功率达到 通过变 ， 50 ℃ ， 0 ． 055 nm / ℃ 。 温测试 发现输出功率在 以上衰减剧烈 列阵的温漂系数为