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光电工程
第39卷第5期 光电工程 、，o1_39．NO．5
2012年5月 Opto-ElectronicEngineering May,2012
文章编号：1003—501X(2012)05—0001—06
Zno．98Ndo-O2O室温拉曼特性和伏安特性
文 军
(渭南师范学院 物理与电气工程学院，陕西 渭南 714000)
摘要：通过固相反应工艺制备了Zn098Nd002O纳米颗粒，射频磁控溅射技术在 si(111)衬底上制备了z“o98Ndoo20
薄膜 应用XRD、AFM 以及拉曼光谱等手段，分析了Zno98Ndoo2O纳米颗粒与薄膜的结构，并测试了Zn 8Ndoo2O
薄膜的室温伏安特性。表明Nd掺杂没有改变ZnO纤锌矿结构，zno98Ndo020颗粒为纳米多晶粉末态，其薄膜为
沿(100)、(1O1)方向生长的纳米多晶结构，表面形貌粗糙。拉曼光谱分析表明，zn098Ndoo20颗粒的局部应力增大，
晶格畸变缺陷增加，缺陷态比较复杂，导致拉曼峰发生频移。Zn098Nd0o20薄膜的室温 曲线表明了zn09RNdo020
薄膜的非线性导电特性。其非线性导电特性源于，薄膜中的载流子受外加电场在薄膜中所产生热激发进入导带导
电，环境光中能量高于ZnO带隙的光子引起的光电导效应，以及薄膜 中纳米粒子间的隧穿导电。在光辐照作用下，
提高了薄膜内浅施主缺陷浓度，降低了薄膜的表面电阻率，增强了zno98Ndo02O薄膜的导电能力。
关键词：Nd掺杂；ZnO；X射线衍射；拉曼散射；伏安特性
中图分类号：0484；TN304 文献标志码 ：A do；：10．39698．issn．1003—501X．2012．05．001
InvestigationofRoom-temperatureRamanScatteringand
Volt-amperePropertiesofZn098Ndo02~
． ．
W E Jan
(SchoolofP7 icsandElectricalEngineering,WeinanNormalUniversity，Weinan714000，ShanxiProvince，China)
Abstract：TheZno9sNdo02~ waspreparedbyapplyingthesolidphasereactingmethod，thenZno98Nd0020 thinfilm was
depositedonSi(1l1)substratebyradiorfequencymagnetronsputteringtechnique．Finallythemicrostructureofthe
Zno9sNdo
． o20particleandfilmwasinvestigatedbyX-raydiffraction，AtomicForceMicroscopy(AFM)andRaman
scattering．Volt—AmperePropertiesofZn098Ndo020 film wastestedatroom temperature．Itisfoundthatlatticestructure
oftheZno98Ndo02~，hexagonalwurtzite，i
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