不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性.pdfVIP

维普资讯 第33卷第6期 光电工程 Vo1．33，No．6 2006年 6月 Opto·ElectronicEngineering June，2006 文章编号：1003—501X(2006)06—0037—04 不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性 张东平L2，邵淑英2，黄建兵2，占美琼2，范正修2，邵建达2 (1．深圳大学 理学院 应用物理系，广东 深圳 518060； 2．中国科学院上海光学精密机械研究所 光学薄膜技术研究与发展中心，上海 201800) 摘要：在不同的氧分压下用电子柬热蒸发的方法制备了氧化锆薄膜。用扫描探针显微镜、x射线 衍射仪和分光光度计分别对薄膜的表面粗糙度、微结构和透射谱等特性进行了表征。实验发现， 薄膜沉积中氧分压与薄膜性质及微结构有密切的关系。当氧分压由3．0×10Pa升高到 11×10Pa， 薄膜的表面粗糙度由3．O12nm降低到 1．562nm，而薄膜的折射率由2．06降低到2．01。此外，X射 线的衍射还发现，薄膜是以四方相为主多相共存的，随着氧分压的增加，特征衍射峰强度逐渐减 弱，最后完全变成非晶。 关键词：氧化锆薄膜；氧分压；表面迁移率：薄膜特性 中图分类号：0484．1 文献标识码：A CharactersofZrO2filmsdepositedbyelectronbeam evaporation atdifferentoxygenpartialpressure ZHANGDong-ping一，SHAO Shuffing ，HUANG Jian．bing ，ZHANM ei．qiong2， FAN Zheng．xiu2 SHAO Jian．da2 ， (1．DepartmentofApplied ics，SchoolofScience，ShenzhenUniversity，Shenzhen518060，China； 2．RDCenterforOpticalThinRlmCoatings，ShanghaiInstituteofOpticsandFineMechanics． theChineseAcademyofSciences，Shanghai201800，China) Abstract：ZrO2filmswerepreparedbyelectronbeam evaporationatdifferentoxygenpartialpressure． The film properties such as surface roughness，microstructure and transmission spectra were characterizedbyusingScanningProbeMicroscopy(SPM)，Xr·aydiffractionandspectrophotometer respectively．Theresultsindicatethatthefilm propertiesandmicrostructurecorrelatewiththeoxygen partialpressureindepositionprocess．Whenoxygenpartialpressureincreased from 3．0x10 Pato 11×10-5Pa thesurfaceroughnessdecreasedrfom 3．012nm to 1