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光电工程
维普资讯
第31卷增刊 光电工程 Vo1.31,Sup
--20-04年,12.月. Qpto-ElectronicEngineerin Dec,2004
IA --。 。 ‘。一
_ _ - — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — ~
文章编号:1003—501X(2004)Sup一0114—03
大功率半导体激光器全固态风冷散热系统
张云鹏 1,2,套格套 一,尧 舜 一,陈 平 ,王立军
(1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理开放实验室 ,吉林 长春 130033;
2.中国科学院研究生院,北京 l00o39)
摘要:设计并制作 了一种全固态大功率半导体激光阵列恒温散热系统。它利用半导体制冷器对大
功率半导体激光阵列吸热,然后经由风冷散热。经测试,单bar激光阵列连续输出功率达到15.28W,
双bra阵列输出达27.8W 时,全部达到风冷散热控温精度±o.1℃;当环境温度达到45℃时,仍然
能够保证激光阵列的正常使用。
关键词:半导体激光器阵列;大功率激光器;散热系统;环境温度
中图分类号:TN249 文献标识~i-q.A
Fullsolid-statecoolingsystem forhighpowersemiconductorlaser
ZHANGYun.peng,一,TAO Ge.taoI,2YAO Shun ,CHENPing,WANGLi-jun
(1.LaboratoryofExcitedProcesses,ChangchunInstituteofOptics,FineMechanicsandPhysics,
theChineseAcademyofSciences,Changchun130033,China;
2.GraduateSchooloftheChineseAcademyofSciences,BeijinglO0o39,C.hina)
Abstract:A fullsolid—stateconstanttemperaturecoolingsystem forhighpowersemiconductorlaser
arrayisdesignedandmanufactured.Theheatofhighpowersemiconductorlaserarrayisabsorbedbya
semiconductorrefrigeratoranddissipatedbyaircooling.Throughtest,thecontinuousoutputpowerof
singlebra laserarray can be up to 15.28W and double—barlaserarray canbeup tO27.8W .The
temperaturecontrolaccuracyis±O.1℃ whenfullair-cooledheatsinkeffectisattained.Highpower
semi conductorlaserarraycannormallyoperatewhenambienttemperatureisupto45~C.
Keywords:Semi conductorlaserarrays;HighpowerlasersCoolingsystem;Environmentaltemperature
引 言
阵列是提高激光器输出功率的有效途径,但功率密度和热耗成为限制其功率进一步提高的主要因 ¨。
半导体激光器的墙插效率最高已经超
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