纳米光刻中奠尔对准模型与应用.pdfVIP

维普资讯 第35卷第9期 光 电工程 v0l-35．No．9 2008年 9月 Opto—ElectronicEngineering Sep，2008 文章编号：1003—501X(2008)09—0027—05 纳米光刻中莫尔对准模型与应用 周绍林 ，一，陈旺富 ，-，杨 勇 ，唐小萍 ， 胡 松 ，马 平 ，严 伟 ，张幼麟 (1．中国科学院光电技术研究所，成都 610209；2．中国科学院研究生院，北京 100039； 3．乐山师范学院 物理电子系，四川 乐山 614004) 摘要：在纳米光刻中，采用周期相差不大的两光栅分别作为掩模和硅片上的对准标记。当对准光路通过这两个标 记光栅时受到两次调制，发生双光栅衍射及衍射光的干涉等复杂现象，最后形成有规律、且呈一定周期分布的莫 尔条纹。周期相对光栅周期被大幅度放大，条纹移动可表征两标记的相对位移，具有很高探测灵敏度，可用于纳 米级高精度对准。从傅里叶光学角度分析推导了对准应用中，两频率接近的光栅重叠时莫尔条纹振幅空间近似分 布规律。并设计了一组对准标记，能继续将灵敏度提高一倍。通过仿真分析，从大致上定量地验证条纹复振幅分 布的近似数学模型以及光刻对准应用中的条纹对准过程。 关键词：莫尔条纹对准；建模；纳米光刻；光栅标记 中图分类号：04361，TN253 文献标志码：A AlignmentM odelofM oir6anditsApplicationinNanometerLithography ZHOU Shao．1in’-，CHEN W ang．fu ’-，YANG Yong．，TANG Xiao．ping ， HU Song ，M APing ，YAN W ei，ZHANG You．Iin3 (1．InstituteofOptics＆Electronics，chineseAcademyofSciences，Chengdu610209，China； 2．GraduateSchoolofChineseAcademyofSciences，Bering100039，China； 3．P icsandElectronCommunicationDepartment，LeshanTeachersCollege，Leshan614004，SichuanProvince，China) Abstract：Intheapplication ofnanometerlithography,twogratingswithsimilarperiodswerechosenforalignment marksonthewaferandmaskrespectively．Thenlightwasmodulatedbythesewt orgatingswhenthey~aveledthrough wt o alignmentmarks，and some phenomenon such asdiffraction and interference occurred SO thatregular and periodic—distributedmoir6patternswereformedintheprocessofalignment．Becausethefringewithmang ifiedperiod versusperiodsofwt ogratingshashighsensitivitytorepresentrelativemovementofwt ogratingsonwaferandmask，it