双光谱法实现光刻工艺中的胶厚检测.pdfVIP

第36卷第5期 光电工程 、，0lI36．NO．5 2009年 5月 Opto-ElectronicEngineering May,2009 文章编号：1003—501X(2009)05—0052—04 双光谱法实现光刻工艺中的胶厚检测 张春晖，陈龙江，梁宜勇，杨国光 (浙江大学 现代光学仪器国家重点实验室，杭州 310027) 摘要：提出了一种光刻胶厚度测量方法，即双光谱法。采用 AZ4620正型光刻胶甩胶于平面玻璃基片，以椭偏仪 测量的结果为基准。通过双光谱法的测量，检测经过基片的出射光相对入射光强度的变化，达到测量胶厚的 目的， 结果偏差在 2％v?Z内。与传统的膜厚检测方法相比，有计算方法简便，可操作性强等优点。针对光刻胶有曝光的 特性，双光谱法更适合于胶厚检测。 关键词：光刻；双光谱法；胶厚检测 中图分类号：TN247 文献标志码：A Two-spectrum M ethodforM easuringtheThicknessof PhotoresistinLithographyTechniques ZHANGChun-hui，CHENLong-jiang，LIANGYi-yong，YANGGuo-guang (StateKeyLabofModernOpticalInstrumentation，Zh~iangUniversity，Hangzhou310027，China) Abstract：A method formeasuring thethicknessofphotoresist，namely two—spectrum method，isproposed．Using AZA620photoresistthrow atplaneglass，themeasuringhticknessofphotoresistisbenchmark throughellipsometer． Comparedwith incidentlights，theintensitychangeofemiuedlightsisexaminedbymeansofwto spectrum method measuring．Thepurposeofmeasuringthethickn essofphotoresistisachieved．Theresultdeviationislessthan2percent． Comparedwithtraditionalmethodsofrmeasuringthethicknessoffilm，htenew methodhastheadvantagesofsimple compuattion andgoodmaneuverability．Asphotoresisthastheexposalcharacteristics，two—spectrum methodisfitofr measuringhtethickn essofphotoresist． Keywords：lithography；two—spectrum method；thickn essofphotoresist 0 引 言 集成电路从60年代至今，得到了飞速的发展，而且对科技，国防，经济等多方面产生了巨大的影响。 而光刻技术在集成电路的飞速发展中起到了至关重要的作用 l【J。此外，在液晶显示制造过程和微光学工艺 中，光刻是必要的工艺。特别是在微光学微结构加工中，连续浮雕的制作，环境变化对于连续位相和光刻 胶灰化的影响 引，都需要准确测量光刻胶的厚度。然后根据厚度值作曝光补偿，使最终的三维微结构与预 期面型一致。比如在大型液晶电视背光板的微透镜阵列的制作中，在曲面基地微结构的制作中，如不准确 测量光刻胶的厚度，按预期值曝光后，由于胶层的不均匀性，往往得不到预期的面型。在光刻工艺中，传 统的光刻胶厚度的确定，是通过光刻胶供应商提供的旋涂的转速与光刻胶厚度的关系的数据及实验人员本 身的经验来确定。在膜厚检测