双光束双曝光与四光束单曝光干涉光刻方法的比较.pdfVIP

维普资讯 第32卷第 12期 光电工程 Vo1．32，No．12 2005年 12月 Opto—ElectronicEngineering Dec，2005 文章编号：1003—501X (2005)12-0021—04 双光束双曝光与四光束单 曝光干涉光刻方法的比较 张 锦 1,2，冯伯儒 ’，郭永康2 (1．中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室，四川 成都 610209； 2．四川大学物理系，四川 成都 610064) 摘要：双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法，都容易利用现有光 刻工艺，在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下，用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形 成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形。双光束双曝光法得到的阵列图形周期极限为2,／2；四光束单曝 光的周期略大，为前者的√2倍。模拟和实验结果表明，通过控制曝光和显影X-艺，双光束双曝 光较四光束单曝光能更灵活地得到孔阵或点阵，而四光束单曝光得到的图形孔与孔之间没有鞍点， 较双光束双曝光形成的孔侧壁更陡。这两种方法在需要在大面积范围内形成孔或点这类周期阵列 图形的微电子和光电子器件的制造领域有很好的应用前景。 关键词：干涉光刻；无掩模；双光束双曝光；四光束单曝光 中图分类号：TN305．7 文献标识码：A Comparisonbetweendoubleexposurewithwt olaserbeamsinterference andsingleexposurewithfourlaserbeams ZHANG Jin ，FENGBo．ru ，GUOYong．kang2 (1．StateKeyLaboratoryofOpticalTechnologiesfo，．Microfabrication，theInstituteD厂Opticsand Electronics，theChineseAcademyofSciences，Chengdu610209，China； 2．DepartmentD厂Physics，SichuanUniversity，Chengdu610064，China) Abstract：Doubleexposurewithtwolaserbeamsandsingleexposurewithfourlaserbeamsaretwo typicalwaysf．ormasklessinterferencephotolithography,whichcanproducehole，dotorconearray pattem byconventionallithographyprocessandasimpleopticalsystemwithoutmaskandpreciselenses system．Thelimitpitchofarraypattem bydoubleexposurewithtwolaserbeamsis2／2，whichbysingle exposurewithfour1aserbeamsiS422／2．Simulationandexperimentresultsdemonstratethatdouble exposurewithtwolaserbeamsisrnorefeasibletogethole，dotorconearraythansingleexposurewith fourlaserbeamsbycontrollingexposuredoseanddevelopingprocess．Andther