化学气相沉积法制备碳纳米管有序阵列.pdfVIP

第23卷 第 3期 青 岛大学学 报 (工程技 术版 ) VoI．23No．3 2008年 9月 JOURNALOFQINGDAOUNIVERSITY (ET) Sep．2008 文章编号 ：1006—9798(2008)03—0023—07 化学气相沉积法制备碳纳米管有序阵列 林 青，贺 琪 (青岛大学国家重点实验室培育基地 ，山东 青岛266071) 摘要：采用化学气相沉积法(CVD)在覆盖有催化剂薄膜的硅片表面直接制备出碳纳米管 阵列 ，使用透射 电镜 (TEM)和场发射扫描电镜 (FESEM)对其进行了检测 ，并探讨了实验 条件对碳管形貌的影响。结果表明：所制备 的碳管具有明显的取向性 ，能够形成致密有序 的碳纳米管阵列 ；制备催化剂所用的硝酸铁溶液浓度为 2mol／L时，最适宜碳管阵列的生 长 ；匀胶机的转速提高 ，可减小催化剂颗粒直径 ，增强颗粒分散性 ，有利于碳管生长 ；碳纳 米管的直径随反应温度的升高和时间的延长而增加 ，680℃为最佳反应温度 ；碳管生长模 式为顶部生长和底部生长。 关键词：碳纳米管阵列 ；化学气相沉积法；生长机理 中图分类号：TB383 文献标识码 ：A 1991年 日本 NEC公司的饭 岛(s．Iijima)_】发现 了碳纳米管，引起许多领域科学家们的极大关注 。由于 长径比大且顶部 曲率半径小 ，碳纳米管具有优异的静场电子发射性能[2]，可用作纳米级 的电子枪 ，以制造 超薄、高清晰度的平面显示器，也可以用来提高扫描电子显微镜的分辨率。但是，通常制备得到的碳纳米管 是非取向性的l5]，严重影响了碳管的性质研究和实际应用 。因此 ，探索制备取 向性好 的碳纳米管阵列的方 法l8 具有十分重要的意义。由于采用后期处理手段通常难 以得到大面积的有序碳纳米管阵列 ，所以作者 采用化学气相沉积法，直接在基底上制备碳管的有序宏观体 。该方法可免去后处理的步骤，还可以通过改变 工艺参数控制碳管长度 、直径和生长方向等。 1 实验 1．1 试剂和仪器 1．1．1 试剂 n型(100)单晶硅片，硝酸铁分析纯，高纯乙炔 (99．95 )，高纯氩气 (99．99％)，高纯氢气 (99．99 )。 1．1．2 仪器 KW 一4A型台式匀胶机 ，北京鑫有研电子科技有限公司；RGL一03型管式炉，合肥 日新高温技术有限公 司。JEOLJSM一6700F型场发射扫描 电子显微镜 (FESEM)，日本 电子株式会社 ；FEISirion200型场发射 扫描电子显微镜 (FESEM)，荷兰 FEI公司；HitachiH一800形透射电子显微镜 (TEM)，日本 HITACHI公司。 1．2 实验方法 实验以单晶硅为衬底 ，以采用溶胶凝胶 (sol—ge1)法制备的硝酸铁溶胶在氢气气氛下还原出的铁纳米颗 粒作催化剂 ，以乙炔为碳源气体 ，在保护气体 (氩气)环境下，采用化学气相沉积法制备碳纳米管阵列 。 1．2．1 催化剂的制备 将 2mol／L的Fe(NOs)。溶液、正硅酸乙酯、无水 乙醇按 16：25：32的比例混合，静置 24h制成溶胶。 在适当大小的干净硅片表面滴加制备好的溶胶 ，然后用匀胶机使其催化剂在硅片表面形成一层均匀薄膜 ；自 收稿 日期 ：2008—01—17；修 回日期 ：2008—07—17 作者简介：林青(1981～)，女 ，山东潍坊人 ，硕士 ，主要从事纳米材料的研究。 24 青 岛大学 学报 (工程 技术版 ) 第 23卷 然晾干后，在H。气氛下500℃ 还原 10h，将Fe。还原成Fe。还原出的Fe纳米颗粒即为制备碳管阵列所用 的催化剂 。 1．2．2 碳纳米管阵列的制备 将附有催化剂薄膜的硅片置于管式炉中，加热至 680℃，以30mL／min的流速通 Hz，恒温 1h；之后通 入 C。H。和 Ar的混合气体开始反应 ，CH。流速为 20mL／min，Ar流速为 300mL／min。，反应时间20min 后 ，即得到致密有序的碳纳米管阵列。 2