TD-LTE终端芯片关键技术测试及面临的挑战.pdfVIP

聚 焦 创 新 《电信网技术)2011年 2月第 2期 口 聚焦创新 H_ 自 _ ∞_ ∞ TD-LTE终端芯片关键技术测试及 面临的挑战 刘 臻 工业和信息化部 电信研究院通信标准研究所工程师 果 敢 工业和信息化部 电信研究院通信标准研究所高级工程师 朵 灏 工业和信息化部 电信研究院通信标准研究所工程师 摘 要 TD—LTE终端芯片测试是促进 TD—LTE终端芯片从开发初级阶段 到产 品技术较为成 熟、系统较为稳定的有效手段之一。本文对 TD—LTE终端芯片关键技术的测试 内容、测试方法以及 产品设计和测试所面临的挑战进行 了介绍，指 出终端芯片仍然是整个TD—LTE产业链相对薄弱的 环节 ，推动终端芯片进 一步完善 需要芯片和终端产品开发 、全面的调测验证 以及完备 的测试 系统 和仪表支持等多个环节的全面结合 、协 同推进 。 关键词 TD—LTE 终端芯片 测试 关键技术 1 引言 受 的同时，也大大增加 了芯片系统架构设计和模块实 现的复杂度 ，对制造工艺也提 出了更高的要求 。具体 移动通信产业发展经验表明 ，终端芯片在技术演 来看 ，TD—LTE给芯片设计带来 的挑战主要有 以下几 进过程 中尤其是新技术产 品化 、产业化期 间扮演着 个方面 ： “瓶颈 ”角色 ，缩短这一瓶颈期对促进技术演进 、加快 (1)大数 据量 处理 ：OFDM (矢 量 数据 处理 )， 产业化整体推进步伐、确保演进型技术的商用化有着 MIMO(矩阵运算)，Beamforming(加权 因子计算)等全 十分重要 的意义 。 新技术引入了大量数据处理需求 ，需要终端芯片的 近年来 ，随着 TD—LTE产业化进程 的不断推进 ， DSP和硬件模块有很强的数据处理能力 。 产业链各环节共 同发展持续壮大 ，针对 TD．LTE终端 (2)功耗和体积：在满足大数据量处理需求的基 芯片的测试更是取得 了阶段性成果 ，2_3GHz频段 的终 础上 ，如何合理地设计芯片架构来处理好功耗 、体积 、 端测试 已于 2010年完成并随即开展面 向2．6GHz终 时延和成本之间的关系也成为决定 LTE终端芯片竞 端芯片的测试工作 。整体而言，通过对终端芯片多轮 争力 的关键 因素 。 次 、多阶段 的测试验证 ，使得产品在功能完整度 、稳定 (3)支持多带宽 ：LTE 中有 6种带宽 ，最大可到 性、性能指标 、功耗等方面不断地完善 。 20MHz。不 同带宽需求 ，对应着不同的数据量处理需 求 ，还有不同的采样率、总线带宽以及对外 的通信接 2 TD-LTE技术对终端芯片设计带来的 口带宽 。 挑战 (4)多模 ／多待 ：为支持与 2／3G无线接入技术的 漫游服务 ，需要终端芯片兼容多种无线标准 ，特别是 TD-LTE作为未来移动通信领域 的主流技术 ，在 早期缺少语音服务支持 的LTE网络 ，需要终端芯片支 为用户带来高数据速率体验和丰富的多媒体业务享 持多模 ／多待。 · l7 · 口TELECOMMUNlCATIONS NETWORK TECHNOLOGY No．2