BUCK电源芯片中功率管及其驱动电路的优化设计.pdfVIP

BUCK电源芯片中功率管及驱动电路的优化设计 吕庆永黄世震 (福州大学集成电路重点实验室福建福州350002) 摘要：MOSFET的性能及驱动电路对电源芯片的转换效率有很大的影响。主要研究功率管及驱动电路的主要功率损耗，并 建立这些损耗的数学模型，在MATLAB下编写优化程序进行优化，得到最佳功率管尺寸及确定合适的缓冲器级数和缓冲器 逐级增大的宽长比比值。 关键词： 驱动电路：转换效率；功率损耗；数学模型 1引言 在高的开关频率下，芯片上主电路功率管的损耗是芯片损耗的主要来源之一，为了提高芯片集成度和 系统转换效率，本文深入分析主电路功率管损耗，并建立这些损耗的数学模型并进行优化，得出最低损耗 下功率管的尺寸。此外，主电路功率管驱动电路往往存在着较大的时延和功耗，本文对构成驱动电路的缓 冲器系列进行优化设计，以确定合适的缓冲器级数和缓冲器逐级增大的宽长比比值。 2功率MOSFETs的损耗分析 主要寄生电容情况…，这些寄生电容主要包括：栅一源电容C。。、栅一漏电容Cgd、漏一源电容Cds等。图中 的D是器件的体内二极管。 |I。一 = 2 D Vin l— Ca,- R I。l 图1MOS器件的寄生电容 图2Buck同步整流电路拓扑 优化功率管损耗前，应事先建立功率管各部分损耗的数学模犁。本设计芯片采用Buck同步整流电路 拓扑，如图2。在开关工作期间，电路存在着多种功率损耗，考虑的损耗主要是图2虚线方框内主电路功 率开关管PMOS(以下简称Sw)和同步整流管NMOS(以下简称SR)的损耗。 下面对主电路功率管各部分的损 、l I I 耗进行分析。 I／l VDRIV芑 ＼I I／I Vascxiller)I＼I I ‘ 图3所示[2】【3】是在一个开关周期 I／／I 叶H l l＼＼I I ／I I I＼＼I。 中，功率NMOS器件的开通和关断过 程(PMOS器件可以类推)。图中，～t、JJ。 ’l l‘I． ：：f I：I卜一一一卜I：7 VORⅣE为驱动电源电压，VrH为器件的VDS(off)＼I I／5vDS(off)I I＼ ％rDS(cond) ／II 阈值电压，vos(MiⅡe，1为Miller效应电 ’ o／ IDccond) ＼o I／J J I I l I＼I I 平，Vjs(。ff)和vos(cond)分别是器件截止， ～ ‘ TO T1 T2 T3 T4 T5 T6 TT T8 T9 和导通时的漏一源电压，IDf。。ndl为器件 图3功率MOS器件在一个周期中的开关过程 导通电．流。图4为MOS管开