电场对脉冲激光沉积纳米Si晶粒尺寸和面密度分布的影响.pdfVIP

第 31卷 第 1期 河北大学学报 (自然科学版) V01．31No．1 2011年 1月 JournalofHebeiUniversity (NaturalScienceEdition) Jan．2O11 电场对脉冲激光沉积纳米 Si晶粒 尺寸和面密度分布的影响 王英龙，陈超 ，丁学成，褚立志，邓泽超 (河北大学 物理科学与技术学 院，河北 保定 071002) 摘 要 ：为 了研究外加 电场对脉冲激光沉积纳米 Si晶粒 的影响 ，采用 XeC1准分子激光器 ，烧蚀 高阻抗 单晶Si靶 ，在 10Pa氩气环境下，调整外加电压的强度 ，沉积制备 了一系列Si薄膜．X线衍射 (XRD)谱仪、拉 曼(Raman)谱、扫描 电子显微镜 (SEM)图像均显示纳米 Si晶粒 已经形成，随着靶衬间距的增加 ，所形成的纳 米 Si晶粒的平均尺寸和面密度分布均呈现先增大后减小的变化趋势，并且二者都在 1．3cm 处达到最大值； 同时随着外加 电压的增大，衬底上纳米 Si晶粒消失的位置离靶距离变短．从传输动力学角度 ，对实验结果进 行 了定性分析． 关键词：纳米Si晶粒；激光烧蚀 I夕加电场 ；平均尺寸 中图分类号：O484．1 文献标志码 ：A 文章编号 ：1000—1565(2011)01—0020—04 InfluenceofExternalElectricFieldon theSizeandAreaDensity 0fSiNanoparticlesPreparedbyPulsedLaserAblation WANG Ying-long，CHEN Chao，DING Xue-cheng，CHU Li—zhi，DENG Ze—chao (CollegeofPhysicsScienceandTechnology，HebeiUniversity，Baoding071002，China) Abstract：InordertostudytheinfluenceofexternalelectricfieldonSinanoparticlespreparedbypulsed laserablation，thesinglecrystallineSitargetwithhighresistivitywasablatedbyaXeCIexcimerlaserin highpureArgasundertheambientpressureof10Pa，theexternalelectricfieldwasmodulatedtOsynthe— sizeSifilms．TheX—raydiffraction，Ramanspectrasandthescanelectronm icroscopy (SEM )imagesindi— catedthattheSinanoparticleswereformed．W ithincreasingtarget—substratedistance，theaveragesizeof Sinanoparticlesfirstincreased，reacheditsmaximum at1．3cm，andthendecreased．Inaddition，within— creasingtheexternalelectricfield，thepositionofSinanoparticlesdisappearedawayfrom thetargetdimin— ished．ThetransferdynamicswereusedtOanalyzetheexperimentresultsqualitatively． Keywords；Sinanoparticles；laserablationiexternalelectricfield}theaveragesize 收稿 日期 ：2010--09—1O 基金项 目：国家 自然科学基金资助项 目；河北省 自然科学基金 资助项 目(E2008000631)；河北大学 自然科学基金 资助课题 第一作者 ：王英龙 (1965一)，男 ，河北定州人 ，