硅片清洗方法探讨.pdfVIP

维普资讯 第20卷 第 4期 上 海 有 色 金 属 V ．∞ No4 1999年 I2月 SHANGHAIN0NFERROUSMETALS Dec I999 ( ／＼6 硅片清洗方法探V寸 郭运德 (洛阳单晶硅有限 河南洛阳 。。。 弋 、 摘 要 ：本文介绍了几种硅片清洗 的方法 ，同时对各种不同清洗方法 的工作原理 、清洗效 果 、适用范围等特点进行 了分析 。不 同的工艺应采用不 同的清洗方法才能获得最佳效果 。 苎中竺圈分娄：号堂 ；墨亘查 ：TN304．1 文献标识码 ：^ 大致可分为化学清洗 、超声清洗 、兆声清 1 前 言 洗 、声学清洗 、离心清洗 、攘试清洗 、气相 硅片表面的洁净度及表面态对高质量的 干洗和高压喷洗等 ‘。其 中，化学清洗又分 硅器件工艺是至关重要的。如果表面质量达 REA清洗和 临界流体清洗等 。 目前生产线 不到要求 ，无论其它工艺步骤控制得多么优 上也常常把多种清洗方法串联起来使用 。下 秀，也是不可能获得高质量 的半导体器件的。 面将各种清洗方法分别进行介绍 。 除去硅片表面上 的沾污 已不再 是最 终 的要 2．1 RCA清洗 求 。在清洗过程 中所造成 的表面化学态 (终 RCA 由WemerKern于1965年在 N．J．P血 止态)及粗糙度 已成为 同样重要 的参数 。这 - ceton的 RCA 实验 室 首创 ，并 由此 得 名。 些新 的考虑改变了关于 “片清洗”的观念 由单 RCA清洗是一种典型 的湿式化 学清洗 。国 纯的去除沾污转变到真正的 “表面工程 。 内外 已有多篇文章用不 同的分析方法证实 了 表面沾 污指 硅表 面上沉积有粒子 、金 RCA的有效性 。RCA清洗主要用 于清 除有 属 、有机物 、湿气分子和 自然氧化物等 的一 机表面膜 、粒子和金属沾污 。 种或几种 。超纯表面定义为没有沾污 的表 在 RCA清洗工艺 中主要使用 两组混合 面 ，或者是超出检测量极 限的表面 。表面应 化学试剂 。第 1种 (sc．1)是 N}lO‘H、 O 具有原子量级 的光滑度 ，悬挂键 终止 于氢 和 H2O，比例为 l：1：5。第 2种 (sc．2)为 上 。大量文献 。 对沾污 的负作用进行 了讨 HCI、H2 和 O，比例亦为 l：l：5…。此 论 。清洗是获得超纯表面 的最主要 的途径。 工艺分 为氧化 、络合 处理两个 过程 。使用 下面分别介绍几种常见 的硅片清洗方法 ，并 对各方法的优缺点及适用性进行分析。 - Nil,OH 和 -HC1液 ，温 度 控制在 75～80℃。 在高 pH值时为强氧化剂破 2 常用清洗方法 坏有机沾污 ，其