掺杂原子对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷的影响.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 掺杂原子对大直径直拉硅单晶中空洞型微 缺陷的影响 郝秋艳刘彩池张建强张建峰 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所，天津，300130 摘要： 本论文研究了掺杂剂原子种类对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影 响，实验结果发现，当硅单晶中掺入半径较大的原子会导致空位密度增加，进而提高空洞 型微缺陷的密度，反之，当硅单晶中掺入半径较小的原子会降低空洞型微缺陷的密度。 关键词： 大直径直拉硅单晶 空洞型微缺陷空位快速热处理 1．引言 随着集成电路的飞速发展，对ULSI用硅片质量提出了越来越严格的要求。归纳起来 就是要求硅片的晶格缺陷更少以及对器件有害的杂质含量更低。研究表明，缺陷的尺寸在 ULSI特征线宽的1／3以上时，就成为致命的缺陷，会导致器件失效。随着集成电路线宽的 减小，栅氧化层缺陷越来越成为严重的问题，因为它们降低了大规模集成电路的成品率和 稳定性，使漏电流、击穿电压等特性变坏。而引起栅氧化层缺陷的主要原因是大直径直拉 硅单晶中的空洞型(Void)缺陷，这些Void缺陷包括COPsu1(原生颗粒缺陷)、FPDs¨1(流 动图形缺陷)、LSTDs‘31(激光散射层析缺陷)等。为了消除硅片中的空洞型缺陷，提高栅 氧化层的完整性(GOI)，对于空洞型微缺陷的研究就显得尤为重要。 本文通过腐蚀显示大直径直拉硅单晶中的空洞型微缺陷，对比不同掺杂硅单晶中空洞 型微缺陷的密度变化，研究掺杂原子对空洞微缺陷的影响，结果发现不同掺杂原子半径的 大小将严重影响空洞微缺陷的密度。 2．实验 本实验所用硅片为超大规模集成电路级o150mm，无位错CZ硅单晶抛光片。硅片快速 热处理温度l195℃，样品参数及实验方案如表1所示。 原生硅片先利用HF漂洗，然后在Secco腐蚀液中垂直腐蚀15min，选取硅片的相同位 置，利用光学显微镜进行观察。在1号腐蚀液65℃腐蚀14分钟后用激光颗粒计数仪检测 COPs缺陷密度。 3．实验结果分析 图l和2为重掺Sb和轻掺B原生硅片经Secco腐蚀液腐蚀后，用金相显微镜观察所 得到空洞型微缺陷FPD的金相照片。可以看出，重掺sb硅片中的FPDs密度远远高于轻掺 为8．26x105／cm3。由于两种硅片中氧含量大致相同，腐蚀方法和时间也相同，不同的只是 掺杂种类及浓度，所以各种硅片中的FPDs密度不同主要是由掺杂原子的种类及浓度引起 的。图3为掺B硅片中空洞型微缺陷COPs的密度随电阻率的变化，从图中可以看出，随 398 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 着电阻率的降低，也就是掺B量的增加，COPs微缺陷的密度降低。 图1重掺Sb硅片中FPD显微图片 图2轻掺B硅片中FPD显微图片 图3掺B硅片中COPs密度和电阻率变化关系 空洞型微缺陷是在直拉硅单晶生长过程中由过饱和空位凝聚形成的，由于硅中杂质的 掺入改变了硅单晶中点缺陷的浓度，必然对空洞型微缺陷产生影响。重掺Sb原生硅片中 的FPDs密度要远远高于轻掺B硅片内的FPDs密度，这是因为掺杂半径较大的杂质sb可 以增加硅中空位浓度，而掺杂半径较小的杂质B则降低了硅中空位的浓度。掺入的Sb越 多，空位浓度越高；掺入的B越多，空位浓度越低。由于起始空位浓度很大程度上决定了 随后产生的空洞微缺陷的密度，故掺入的杂质Sb越多，空洞微缺陷的密度就会越大，反 映在FPDs上的密度也就越大；而掺入的杂质B越多，空洞微缺陷密度就越小，反映在FPDs 上的密度也就越小。 杂质对空位浓度的影响过程可以通过掺杂原子在si中产生的应力来说明。当掺入半 径为n的杂质原子时，在Si中引起的晶格应力系数为¨1： ∥=【1一(王)s】Ⅳ一l ‰ 式中夕为晶格应力系数，西为硅的共价半径，n为掺杂剂的共价半径，Ⅳ为硅原予的 浓度。砖i=0．117nm，n=0．088nm，如=1．36nm，ha5×1022／cm3，空位的共价半径可以视为