Dy,Nd掺杂对(Sr,Ba,Ca)TiO3基压敏陶瓷性能的影响.pdfVIP

vol 第36卷 增刊2 稀有金属材料与工程 36，Suppl．2 RAREMF眦MATERnLSANDENGINEERnqG 2007 2007年 8月 Augu毗 性能的影响 李雄佳，唐子龙，张中太 (清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京100084) 摘 37v．d一2．45～3 结果表明：掺杂Dy或Nd可以制各出nom^=4．16～39 23的压敏陶瓷。 关键词：(SLBa，Ca)Ti如；压敏陶瓷；施主掺杂 283 中图法分类号：TM 文献标识码：A 文章编号：l002．185x(2007)s2-206-03 1 前 言 自从20世纪80年代初期，日本太阳诱电公．j率敏陶瓷性能和结构的影响。 先研制出SrTiO，基电容压敏电阻器以来，冈其具有优 2实验 良的介电性能和显著的伏安非线性特性，受到广泛的 关注【l。J。运用同溶体系内各固}存组分性能问的加和或 2．1样品制备 补充，常常口J以制备出t牛能更加优良的材料，也可以 对材料的某些性能进行调制，有实验报告 原料，按照一定的摩尔比称晕配料，以去离子水为介质， (s‘Ba，ca)Ti03基压敏陶瓷具有比srTj03基压敏陶瓷在尼龙罐中用zr02球湿法球磨4h，烘干，过筛，1100℃ 更优良的介电性能【“。在(sLBa，ca)Ti03摹压敏陶瓷的 然后加入 预烧成(sr，Ba，ca)Ti03基体料； 制备过程中，掺杂兀素对陶瓷性能影响较大，其一般 可分为两类：施主掺杂(一次掺杂)，一般是在基体材 料中掺入Ⅲ、V族的氧化物(或碳酸盐)，ⅡI族元素(如 La3+、Y3+)取代A位的sr2+，V族元素(如：Nb5．、Ta5+) 取代B位的Ti”，使压敏陶瓷晶粒的电阻率降低，充 的压力下压成外径12．40mm，内径7．95mm，厚度为1 分半导化【‘q；受主掺杂(二次掺杂)，根据半导体陶 瓷的基本原理．为了补偿晶粒表面施主杂质掺杂后产 生的过剩价电子，受主杂质必须能形成对S，或Ti4+片，最后将还原片置于850℃的空气气氛中进行热处 离子的低价取代，或具备其它能够对导电电子产生捕 理。 2 获或束缚作用的机制。现在的(sLBa，ca)Ti03基压敏陶2性能测试 瓷的制备过程中一般是用La”取代A位的sr2+作为施 主掺杂元素【5硼，而对用其它元素取代A位的sr2+研和JEDL 究较少，尤其是用稀土元素来取代A位的sr2+。本实原烧成后的陶瓷片进行结构和表面微观形貌的观察和 验在实验室已有的工作的基础上，在用Nb”离子取代 分析。将热处理后的陶瓷片进行超声清洗，烘干，在 Ti4．离子，Mn作受主掺杂元素的前提下，系统研究了 用Dy3+或Nd”离子取代sr“离子后能否使电子分选仪上测试样品的压敏电压Hm一和非线性系 收稿日期：2007．02．10 基金项目：清华大学材料科学与工程系新刑陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题基金(x．Gz0207) edu．cn tginghua lixio“g】ia04@mails 万方数据 增刊2 李雄佳等：DxNd掺杂对(s‘B如cayn03基压敏陶瓷性能的影响 数口。上述测试均在室温F进行。