电压敏陶瓷技术的创新和进展--庆祝中国的电子学会敏感技术分会电压敏专业学部成立20周.pdfVIP

中国电子学会敏感技术分会第十五届电压敏学术年会论文专刊 电压敏陶瓷技术的创新与进展 庆祝中国电子学会敏感技术分会 电压敏专业学部成立20周年 C他ati伽and of for训storce舢lc pH嘈I．esstechnology 李永祥韩长生孙丹峰季幼章 中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部南阳473057 摘要： 中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部成立20年来，电压敏陶瓷技术在新型压敏陶瓷研叁、原材料制备、基础综合研 究、工艺设备研究、检测设备研制、应用技术研究、技术标准制定等方面取得了很大进展，促进了学科的发展和技术进步。 关t调：电压敏陶瓷创新进展 1引言 尺寸和电气性能的影响，发现稀土氧化物能有效抑制znO 中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部成立于 晶粒的生长，且Gd：0，、La20，、Y：0，能明显改善晶粒尺寸 分布的均匀性，改善了zn0压敏陶瓷的电气性能，电位梯 1988年10月，至今已经20年了，学会在促进学科发展、 技术进步方面作了大量工作。通过学术年会的技术交流， 度明显提高，加Gd：o，晶粒尺寸最小，晶粒尺寸主要分布 专题讨论，促进了电压敏陶瓷技术的发展。 在o～1舢m之间，电位梯度提高到427．5V／IIllTl。 近年来，在新型压敏陶瓷产品的研究开发，原材料制 (2)西安电瓷研究所研究了掺杂Y203的zn0一Bi：0，—Sb203 备技术的发展，基础综合研究的探索，工艺装备和检测技 系压敏电阻，当0．68mol％掺杂量时，l140℃下烧成获得 术的研究，保证了压敏陶瓷研发工作水平的提高；应用技 293．320V，I啪的电位梯度，37QI／cm3的能量吸收能力。 术研究的深入，拓宽了压敏陶瓷的应用领域。通过技术标 (3)华南理工大学电子材料科学与工程系研究了Er20， 准的制定，提高了产品质量。 掺杂对zn0压敏电阻微观结构和电性能的影响。Er20，以 一种化合物形式存在于晶界，阻碍了晶界运动，使材料烧 2新型压敏陶瓷研究 结后具有较小的晶粒尺寸，并且粒径分布比较均匀。当 Er20，的添加量为0．8mol％时，样品的压敏电压U。。约为 2．1低电位梯度ZnO压敏电阻 360v，mm，非线性系数Q达到80，8，20“s大电流冲击能力 达到1．6kA／cm2。 原苏州中普电子有限公司研究了zn0一Bi：0，-Ti02系压 敏陶瓷晶粒生长机理，比较了不同粒度和分散状态的TiO： 2．3(Sr、Ba、Ca)T103基压敏陶瓷 添加剂对zn0一Bi：0，-Ti0：系压敏陶瓷的作用效果。掺杂单 分散纳米级Ti0，在大幅度降低电位梯度的同时，抑制了漏 (sr、Ba、Ca)Ti0，基压敏陶瓷因具有比SrTiO，基压 电流的上升。晶界击穿电压随烧结温度的提高可下降到1V 敏陶瓷更好的介电性能而受到人们的关注，清华大学材料 左右。 科学与工程系进行了系列研究。 (1)研究了Li+、Mn2+掺杂对srTi0，基陶瓷电性能