PZT含量对PZT／PVDF复合材料性能的影响.pdfVIP

助 尊孝 料 2012年第13期(43)卷 PZT含量对 PZT／PVDF复合材料性能的影响 蔡光强，罗文博 ，吴传贵，陈 冲，钱东培 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054) 摘 要 ： 采用流延工艺，在 ITO玻璃衬底上制备 了 产 7¨]的0-3型复合方式制备复合材料 。在 PZT／PVDF 不同质量分数的锆钛酸铅 (PZT)／聚偏 氟乙烯 (PVDF) 复合材料 中，PZT粉体含量的变化会直接影响两相之 热释电复合材料。采用 X射线衍射方法对 复合材料 间的复合，并最终影响材料的整体性能。因此本文采 极化前后的物相 变化进行 了对 比分析 ，通过扫描 电子 用流延法制备了15～2Om厚的0-3型复合材料厚膜， 显微镜分析 了不 同PZT质量分数复合材料的界面特 着重讨论了陶瓷相 的含量对复合材料 的介电常数 s、介 征 。从热释 电探测器件 的实际要求 出发 ，利用介 电阻 电损耗 tan、热释电系数 P等性能的影响，并对其原 因 抗测试仪 、动态法热释 电系数测试 系统等仪 器系统地 作 了初步的阐述 。 测试 了复合材料体 系中PZT含量对材料热释 电性能 2 实 验 和介 电性 能的影响 。结果显示，在 PZT 质量分数 为 5O 时，制得 了热释 电系数 P为 4．1nO／(cm ·K)的 称取一定量的PVDF粉料 ，按照 1：9的质量配 比 性能优 良的热释 电复合材料 。 将其溶于 N，N一二 甲基 甲酰胺 (DMA)溶剂 中，搅拌 、 关键词： 0-3型复合材料；PZT／PVDF；热释 电性 超声直至其充分溶解 ，然后分别按照不 同质量配 比加 中图分类号 ： TB332；TB34 文献标识码 ：A 入 PzT(PdZr。．。TiO。)陶瓷粉 ，通过超声、搅拌使其 文章编号 ：1001—9731(2O12)13-I786—03 分散均匀，得到混合均匀的浆料 。在流延成膜前将上 述混合均匀 的浆料放入真空干燥箱中进行真空处理并 1 引 言 静置 10rain以除去浆料中的气泡。然后将浆料在面积 铁 电陶瓷材料如锆钛酸铅 (PZT)、钛酸铅 (PT)等 为 100mm 的ITO玻璃上流延成型 ，再放入烘箱 中在 具有热释电性能优 良、介电损耗低、机 电耦合系数高等 80。C下烘干 1h以使溶剂全部挥发。待厚膜完全干燥 优点，被广泛应用于红外传感器 、压 电换能器等方 后升温至 160℃处理 10rain以增强复合材料与基板 间 面口。]，但其介 电常数高 ，溅射等制备工艺复杂，尤其是 的附着性 。通过上述工艺制备 的样 品厚度为 15～ 过高的制备温度 (500℃)使其与硅基半导体集成 电 20“m。在样品上表 面镀 2mm×2mm 的 Pt／Ti电极 ， 路工艺的兼容性很差 ，因此 PZT陶瓷材料在焦平面红 采用分步极化 的方法在极化场强为 20MV／m 的条件 外探测器等方面的应用受到了极大的限制 。有机聚合 下对复合材料进行极化 ]，首先在 160℃下极化 1h 物如 PVDF等介电常数较低 ，使其具有较高的探测优 使陶瓷粉体充分极化，然后降温至 100。C对 PVDF极 值 (／￡)，同时其制备工艺简单 ，制备温度 (200。C)较 化 2h，保压冷却至室温 。 低 ，与硅基集成电路的工艺兼容性较好 ，这些优点都提 采用丹东方圆DX一2600型 X射线衍射仪和 日本