SiC纳米晶薄膜的制备及发光性质研究.pdfVIP

! # ·$ ! 第 卷 第 期 年 月 16 3 Z005 3 VOl.16 NO.3 Mar.Z005 Journalo O toelectronics Laser f p SiC纳米 晶薄膜 的制备及发光性质研究 ! 1 Z 3 Z 3 3 1 ! ! ! ! ! 刘技 文 李 娟 赵 燕平 李延辉 李 昌龄 许 京军 ( 9 9 1.南 开 大学 物 理 学 院 天津 300071 Z.天津 理 工 大 学 材 料 科 学 与 工 程 学 院 天 津 300191 3.天 津 理 工 大学 9 ) 材 料 物 理研 究 所 天津 300191 ( ) 9 ( ) 摘 要 用 射 频 磁 控 溅 射 及 后 退 火 和 方 法 在 衬 底 上 制 备 出 了 纳 米 800 1000 1Z00 Si 111 SiC 晶 ( ) ( ) ( ) ( ) nc-SiC 薄膜 傅 立 叶变换 红外 光谱 FTIR X 射 线 衍 射 谱 XRD 及 扫 描 电子 显 微 镜 SEM 形 貌 像 9 9 等研 究 表 明 制 备 出 的 nc-SiC薄 膜 具 有 立 方 结 构 样 品经 800 1000 退 火 后 表 面 的纳 米 晶粒 分 别 9 ( ) 9 为 和 左 右 而 退 火 后 样 品 晶化 完 全 光 致 发 光 研 究 表 明 薄 膜 室 温 10 nm Z0 nm 1Z00