添加剂PEG%2fCL%2fSPS对铜在玻碳电极上电结晶的影响.pdfVIP

E．028 添加剂PEG／CUSPS对铜在玻碳电极上电结晶的影响 空堕，辜敏‘，鲜晓红 (重庆大学资源及环境科学学院，重庆，40004t 用电沉积的方法实现铜在芯片上高深宽比的刻槽中的超等角填充具有独特的优势．要保证微纳 米尺寸的电沉积铜线性质的连续性，选择合适的能提高镀液深镀能力的添加剂是关键．作为电沉积 泛关注，但是这些研究主要在于探讨PEG，C1．’和SPS对铜电沉积实现超等角填充的作用，而对其电 结晶过程行为没有予以足够的重视【l21．本文应用循环伏安(CV)和计时安培法(cA册究了上述添加剂 作用下的铜电结晶行为． 实验在CHl660电化学综合测试仪上进行。采用三电极体系，研究电极为玻碳电极，辅助电极 M M CuS04．0．5H2S04基础 为大面积的铂片电极，参比电极为Hg／H92S04电极．电解液体系为0．05 溶液中加入不同浓度组合的添加剂PEG，C1’和SPS。 在cu镀液中添加PEG和Cl‘时，它们的协同作用对铜的沉积具有一定的促进作用【3J，当同时加 入PEG，CI和SPS时，使得铜的电结晶行为发生显著的变化，如图l所示：当三种添加剂同时存 在时，循环伏安的阴极沉积峰电流明显增大，峰电位也发生一定程度的正移，这说明SPS能加快铜 的沉积；CV曲线出现了明显的成核滞流环，这显示电沉积经历了成核过程；阳极溶出峰电流随着 SPS组分的增加而降低，这可能是因为PEG／C1‘／SPS吸附膜的脱附是一个相当缓慢的过程【l】，当沉积 铜溶出时，吸附膜覆盖在沉积层表面，阻碍铜的氧化。 图2a是不同添加剂作用下得到的计时安培曲线(CTTs)，从图中可以看出，当溶液中只加入PEG 分的增加而增大，这显示三种添加剂的协同作用有利于铜的成核，这可能是促进剂SPS与阻化剂 线按无因次处理，以∽。)2对f／fm作图，结果见图2b．从图2b中可以看出，在达到k之前，成核电 流基本符合三维瞬时成核，而在达到k以后，成核机理随着SPS浓度增大而逐渐向三维连续成核转 变． ElV(vs．Hg／H92so．) 图1不同添加剂作用下的循环伏安曲线 theCV onGCEfrom when and sulfate containsadditivesPBQcr SPS Fig．I plotsofcopperdeposition cupric electrolyte E．028 《 乞 f ： 图2不同添加剂作用下的计时安培曲线(a)及对应的无因次(朋∞2～f／fm曲线(b) The thenon-dimensional nucleationONGCEfrom sulfate at-0．775V Fig．2 CTTs(a)，and plots(五‰)t叫fm(b)ofcopper cupric electrolyte when conminsadditivesPEG,CI。andSPS electrolyte 参考文献： M A J，West 【l】Willey C．J．Electrochm．Soc．，2007，154(3)，D156． Tan D HarbJ R N．Eleetrochem．J．Electrochem．Soe．，2007，1 [21