一种提高多存储单元内建自测试效率的电路设计.pdfVIP

一种提高多存储单元内建自测试效率的电路设计.pdf

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第五届中围测试学术会议论文集·中国苏州·2008年5月 一375 一种提高多存储单元内建自测试效率的电路设计 田力1 盎敏I l#-C女#披(ji)#mo目口女710075,十目 ±目能砉{许}}目类型的存储器单i,本主描连T一#可d试电路,它目“#集芝R±所有存储§单£的MmST 详mⅫ《镕杲.井迪过一十月“精自。速十序目十∞口eE能满足【r&id试目目孵要,&皑提供S元修复目M需的 E亲地n?奉走懂!4m#自Em性。 关键词: 存#单td《,培&,z刺&“.#*aE,g日目目 An circuittoreducecostof adaptedMBIST semiconductortesting TIANLi] JINMinl 1 LI口H卜TechzoneXian710。75China an)C0 Im…T时1no∞les(Xi Self Abstracl:Memor3’Bui]d—In r restIMBIST)is…dominatingembedded…ntestingfo productive addr∞s L。beread tailing ofembeddedmcmo口needo…Frb…modorfailure paperpropos% leSllngofIC repairing analysis-The clKujtuhich MBISqⅫd tOreduct[oflof an MBIST infomationa㈣the ellme。Thiswillleed improved c“perfom exportfailing whichismki“gsignificantpart COS[ofSOC· productive№mtime ofmanufaelurlng KeyWords: MBIST:Fusing:Rcd∞d…addresgparallelleSling;testtime 1。简介 心。 ■然,时于错误分析T程师而亩.MBIST控制器 在熊成电路测试【厂中进行存髂器的品元级测试 的当前状卷也很重要。 时,有两十方面比较重要:测试时问和冗余地址的采 集。在SOC技术普遍被使州的々天。大多数的lc 设计公司部采用片k所有存储器同时测试的方法.以缩 短测试时问。ff:l是南于盟成度太高的原囚,芯片不定 有足够的管脚输出所有MBIST洲试的结果。所以只 能再次对所有可修复存黼器(repairablememory)进行 测试以确定冗寐地址。 这会浪费些测试时间。 如何能在第次测试时,输出所有可修复的存1I}}器 模块的冗泉地址呢’本文通过对MBIST原理的深入分 析,鲇台测试上程师的实际需求,设计了种MBIST 辅助电路,在缳汪次测试所有片上存储器的前提下, 通过个管脚输出所有可修复存慵器的冗余地址,错 田IMBIST最辑示意田 埕数据.和MBISI控制器的当前状态。 月一个方而.由十芯片尺、1的

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