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包埋法制备碳碳复合材料碳化硅涂层缺陷的形成机制及控制.pdf
第35卷第6期 硅酸盐学报 V01．35，No．6
2007年6月 THE June，2007
JOURNAL0F CHINESECERAMICSOCIETy
包埋法制备碳／{炭复合材料碳化硅涂层缺陷的形成机制及控制
焦更生，李贺军，李克智，王闯，魏剑
(西北工业大学，碳／碳复合材料研究所，西安710072)
机制，分析了改性剂对sic涂层形貌、晶粒尺寸的影响。结果表明：添加改性剂后，涂层晶粒变小，涂层致密，表面未出现裂纹，断面孔洞的数量减
773
少，尺寸减小。在1 K的抗氧化性比未添加改性剂涂层的显著提高。
关键词：碳化硅涂层；裂纹；包埋法
中图分类号：TB332文献标识码：A 文章编号：0454_5648(2007)06_072l_04
M[ECHANISMoFDEFECTFoRM姨TloNANDCoNTRoLoFSILICoNCARBIDECoAI’ING
FoR METHoD
CARBoN／CARBoNCoMPoSITESMADEBYTHEPACKCEMENTATIoN
J1Ao Kezhi，吼生NG Jtnn
Gengsheng，LIHej硼，u C蛔dng，WEI
Research
(CarboIl／CarbonCompositesTecllnologyCenter，NomlwestemPolytechllical
Abstract：Siliconcarbide modifiedsiliconcarbide wefe a cementationonsurfaceof
fSiC)and coa血gspmducedbypack te曲Inique
me was
carbo毗arbonfaC)comDosites．Themicro．strIJc眦ofas-receivedcoatillginvestigatedbyascannillgelectron
Thefo加1ationmechallismof defbcts孤de丘bctofmodifieronmicros幻】ctureofmeSiC andthesizeofSiC
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