化学源金属诱导多晶硅研究.pdfVIP

第55卷第2期2006年2月 物理学报 Vol 1000．3290／2006／55(02)10825—05ACTAPHYSICASINICA Chin @2006Phys．soc 化学源金属诱导多晶硅研究“ 赵淑云1’2’3’ 吴春亚1’2’3’ 李 娟1’2’3’ 刘建平1’2’3’ 张晓丹1’2’3’ 张丽珠4’孟志国”2”’ 熊绍珍”2珀 1)(南开大学光电子器件与技术研究所．天津300071) 2)(天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津30007I) 3)(教育部光电信息技术科学重点实验室，天津300071) 4)(天津工程师范学院，天津300222) (2005年1月6日收到；2005年6月23U收到修改稿) 以硝酸镍溶液为化学源，刘于用不同方法沉积得到的非晶硅膜作晶化前驱物，都能予以不同程度的晶化．用 VHF—PECVD方法获得的非晶硅膜作前驱物，易于去氢并更容易品化．当化学源浓度不同时，晶化效果会存在一定差 别，在一定的范围内，溶液浓度越高，晶化后形成的晶粒越大退火气氛对晶化结果产生某些影响，可以发现，在N2 气氛下退火，比在大气下有更好的品化效果最后对物理源与化学源作诱导金属的晶化结果进行了比较，结果表 明，对诱导金属源而言，化学源显示出更为有效的晶化趋势 关键词：金属诱导晶化，多晶硅薄膜，低温制备，退火处理 PACC：7360F，8140G，8115H，6822 从而极大地阻碍了器件的实用性与产业化．金属诱 Induced 1．引 言 导晶化(MIC：Metal 低温工艺下制备出高性能的多晶硅TFT与其他低 信息技术的发展要求显示器的分辨率和响应速 温多晶硅技术相比有明显的优势，它与ELC相比成 度越来越高，采用有源选址驱动技术是必然趋势传 本低，近年研究表明“1，MIC多晶硅的质量也明显优 统的非晶硅(a—Si)薄膜迁移率低，而且稳定性比较丁SPC多晶硅． 因此，近年来由非晶硅经金属诱导晶化获得多 差与之相比，多晶硅(Poly．Si)薄膜晶体管(TFr)具 有较高的迁移率和随之带柬的较高占空比，故越来 晶硅的方法越来越受到人们的关注，采用金属和非 越受到人们的青睐．一般可以通过快速热退火 晶半导体材料的双层结构或者将金属注人到非晶 Thermal 锗、非晶硅或者非晶锗硅中使其在金属硅化物迁徙 (RTA：RapidAnnealing)、准分子激光晶化 (ELC：ExcimerLaser 过程下诱导的晶化技术均有不同程度的报道w．研 Crystallization)和固相晶化(SPC： SolidPhase 究发现，MIC除可明显地降低非晶硅和非晶锗的晶 Crystallization)等多种技术途径，获得多品 化温度外，还发现一种更有吏际意义的“金属诱导横 硅材料．RTA是一个高温(600℃)过程，而且材料