反应磁控溅射法制备HfO2金刚石红外增透膜.pdfVIP

第37卷第6期 人 工 晶 体 学 报 V01．37 No．6 2008年12月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS 反应磁控溅射法制备Hf02金刚石红外增透膜 郭会斌，王凤英，贺 琦，魏俊俊，王耀华，吕反修 (北京科技大学材料科学与工程学院，北京100083) 摘要：采用纯铪(Hf)金属靶，在氧+氩反应气氛中进行了HfO：薄膜直流反应磁控溅射沉积。首先在单晶硅片上沉 积薄膜，研究工艺参数改变对薄膜的影响，然后选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜，达到增透 (FTIR)检测了镀膜前后金刚石红外透过性能，发现双面镀制HfO：薄膜能够有效提高金刚石在8～12“m的红外透 过性能，在8斗m处最大增透可达21．6％，使金刚石红外透过率达到88％；在3～5Ixm范围，双面镀制了HfO：薄膜 的金刚石平均透过率达66．8％，比没有镀膜的金刚石在该处的平均透过率54％高出12．8％。 关键词：HfO，薄膜；反应磁控溅射法；红外透过率；增透 中图分类号：0484 文献标识码：A Reactive ofIRAnti-reflection MagnetronSputtering Hf02Coatings for CVDDiamondWindow Freestanding Applications GUO Jun Fan—xiu Hui—bin。WANGFeng—ying，HEQi，WEljun，WANGYao—hua，LU ofMaterialScienceand ofScienceand (School 100083，China) Engineering，UniversityTechnoh)gyBeijing，Beijing 29 (ReceivedFebruary2008) Abstract：Hafnium filmswere directcurrentreactive dioxide(Hf02)thinpreparedby magnetron with Hf in mixtures．Theeffectof on film sputteringhighpuritytargetAr／02 02workingpressureHf02 wasstudiedXPS．The andthestructureofthe thin deposition by opticalperformance as—depositionHf02 filmsat different werecharacterized andXRD．TheIR depositiontemperatures byEllipsoinetry transmittanceofthe diamondfilm wasincreasedto88％atthemostafter freestanding