喷涂距离对APCVD制备的TiN薄膜性能的影响.pdfVIP

第35卷第5期 硅’酸盐学报 V01．35，No．5 2007年5月 JOIⅡiNAI，0FTHECHINESECERAMICSOCIETY May，2007 喷涂距离对APCVD制备的TiN薄膜性能的影响 张天播，赵高凌，郑鹏飞，徐刚，汪建勋，翁文剑，韩高荣 (浙江大学材料系，硅材料国家重点实验室，杭州3l0027) 摘要：以Ticl4和NH3为原料，用常压化学气相沉积法在玻璃基板表面沉积得到了1讲薄膜。采用x射线衍射、场发射扫描电子显微镜、电阻仪、 紫外一可见光谱仪等研究了喷涂距离(输入ncl4管道末端到基板之间的距离)对沉积的11N薄膜的结晶性能和表面形貌，以及薄膜的电学性能和光学性 能的影响。结果表明：当喷涂距离为5cm和10cm时，玻璃基板表面形成电阻较高、反射率较低的较疏松薄膜。当喷涂距离增加到13cm和15cm时， 可以得到结晶良好、低电阻、高反射、致密的1IN薄膜。当喷涂距离迸一步增加到20cm以上，得到的薄膜的电阻率随之升高而反射率下降。对喷涂 距离对薄膜性能的影响机理进行了分析，认为喷涂距离的变化会影响扩散到达并吸附在基板表面的反应物分子数量比例，进而影响沉积薄膜的性能。 关键词：氮化钛；常压化学气相沉积；喷涂距离 中图分类号：TB34文献标识码：A 文章编号：0454_5“8(2007)05_0606_05 FⅡ。MS EFFECToFSPRA：yINGDISTANCEoNTHEPRoPERTIESoFTITANIUMNITRIDE PREP：AREDBYArMoSPHEluCPRESSURECHEM礓CAL、j=APoRDEPoSITIoN 盈己4ⅣG死口一幻，z已MD铂D砌g，刁把?vGA啦f，删6切留，觥触疗，形卧rG肫，罨，矗孤皿州G∞m愕 silicon ofM曲耐alsScienceand (statcK0yLab∞咖叮of M锄erials，D印artment Engineemg，zlleji硼g 310027，chma) Universi锣，H柚g出0u were the chemical titani岫 Abstract：Titani啪nitride(TiN)filmsprepa∞dby a恤osph耐cpressum v印ordepositionpIoccss璐ing te缸铷’hl嘶de锄【d锄monia弱∞activee伍}ctofthe distanceonthe g嬲es．The spraying crystallization，s曲ce and ofme di任删on，fieldemission electron testef opticalpr0巾删es filn船w弱iⅡvestigatedbyX．ray scanIlingmicroscope，resistance 粗d isfoundthat distancew勰5锄锄d10 a100setitani岫n瓶defilm ul们violet_visibIesDec咖鼬％n Whenthe叩翻蜘ng cm，only with el洲calrcsistance跚dlowrefIect锄cew硒ob诅ined．Whenthe dista|ncewas13锄and15 films high