平面磁控溅射氧化锌(ZnO)薄膜几个问题.pdfVIP

维普资讯 硅酸盐通报 1996年第 5期 平面磁控溅射氧化锌fZnO)薄膜的几个问题 。＼ ＼1 堡星丑 一 ’ (同济大学物理系 上海 200092) 7-1J~0 ， ／ 妇 轴取向一致的氧化锌。薄膜是一种良 压 料。采用平面磁控溅射是制备。薄膜鞍为理 想的一种方法 为讨论溅射用靶体的掺杂、溅射功率和基片温度等问题 本实验溅射使用掺有 2～5wt％~ 锂 (“2c )的烧结商瓷靶；溅射功率600W左右；沉积薄膜基片温度3o0℃，并注意其他有关条件的调节 ．对获 霎譬 黧 前蜉嚷，佃糠 号嗜鬻 ， Preparation ofZnO PiezeoelectricFilm byPlanar-magnetronSpatting Xingyz,~an (TongjiUniversity) Abstacts ZnO film isfinepie．meleetticmatetia[withaI1exceLLentOaxiscD~ta[orientation Finepiezoelectricfiln~re preparedbyplanarn~gnetonsputting syst~n ZnO ceramictragetusedforspurting isdcgedwith2 5m~t％ L!(的 T}leSpuInngpoweris600W andtk substratetemperatureis300℃ ．TheproperIi~ ofthefilm arein． v~tigatedbyⅪ ，SEM et~．The,．-alueofthestandaraddeviat{onangleoalldm oftheGaxisorientation distrlbutim is锄 】竹 than5and2respectively KeywDn凼：planarmagnetonsputtitlg，ZnO fika 1．前 言 是比较理想的一种方法_6 这种方法不仅提 氧化锌(ZnO)属于6mm晶系，具有纤维锌 高了溅射速率，也提高了所镀薄膜的质量 。 矿结构，ZnO薄膜在垂直于基片表面 c轴取 ZnO薄膜的压 电性与薄膜 的质量、溅射 向一致的情况就能具有象单晶那样的有较好 的条件密切有关 ，这包括溅射靶体 的材料 ；沉 的各向异 性压 电性L 作 为压 电换能材料 积薄膜的基片；溅射室 内气氛和气压 ；溅射功 ZnO薄膜适于制作多种高频 ，超高频 ，甚高频 率等。本文就靶体材料的掺杂，溅射功率，沉 的体渡或表面渡器件 。由于可以做得很薄， 积薄膜积片温度等问题作了探讨 近于透 明，因此也能作为光 电或声光换能器 材料 【·3_4l。 2．实 验 ZnO薄膜采用平面磁控溅 射 的方法制 制作 ZnO薄膜有多种方法 。平面磁 作 溅射镀膜仪如图 l所示 在阴极位置上 控溅射镀膜的方法是近年来采用比较多，也 15 ～