Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展.pdfVIP

第 卷 第 期 物 理 学 进 展 ， ２６ ２ Ｖｏｌ．２６Ｎｏ．２ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００６ ６ ＰＲＯＧＲＥＳＳＩＮＰＨＹＳＩＣＳ Ｊｕｎ．２００６ 　 文章编号： （ ） １００００５４２２００６０２０１２７１９ Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展 孔月婵，郑有? （南京大学物理系，江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 ２１００９３） 摘 要：本文总结了近年来 族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从 族氮化 　 Ⅲ Ⅲ 　 物材料晶格结构和特有的极化性质出发，重点讨论了 ／ 异质结构中二维电子气的性质， ＡｌＧａＮ ＧａＮ 总结分析了异质结构中 组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的 Ａｌ 影响，同时还涉及 ／ ／ ， ／ ／ 和 ／ ／ 等异质结构二 ＡｌＧａＮ ＧａＮ ＡｌＧａＮ ＡｌＧａＮ ＡｌＮ ＧａＮ ＡｌＧａＮ ＩｎＧａＮ ＧａＮ 维电子气性质。 关键词：族氮化物异质结构；二维电子气；综述；自发极化；压电极化；迁移率 Ⅲ 中图分类号： 文献标识码： Ｏ４７ Ａ 　　　 ０ 引言 　 半导体异质结构是实现半导体低维体系的基本手段，也是高速微电子、量子光电子器件的 基本结构。自上世纪 年代以来，随着半导体异质结构材料的不断发展，半导体低维物理研 ７０ 究的不断深化，半导体器件不断推陈出新，半导体科学技术得到迅猛发展，大大推动了当代信 息技术、信息产业的发展。近年来， 族氮化物 ， 和 这类新一代半导体材料的 Ⅲ ＧａＮ ＡｌＮ ＩｎＮ 崛起，使 族氮化物异质结构受到人们广泛重视，并成为当前材料学科和微结构器件领域的研 Ⅲ ［］ １ 发热点 。 Ⅲ族氮化物与传统的半导体不同，是一种带隙宽并具有强压电、铁电性的半导体材料。它 可形成从 的 ， 的 直到 的 带隙连续可调的三元或四元固 ＩｎＮ ０．７ｅＶ ＧａＮ ３．４ｅＶ ＡＩＮ ６．２ｅＶ 溶体合金体系（如 ， ， ），相对应的直接带隙波长覆盖了从红外到紫外 ＡｌＧａＮ ＩｎＧａＮ ＡｌＧａＩｎＮ 的宽波长范围，是发展新一代半导体光电器件的重要材料，在发光二极管（ ），激发器 ＬＥＤ （ ）和大屏幕全色显示及固态白光照明方面具有极其重要的应用。同时，基于 族氮化物具 ＬＤ Ⅲ 有的宽带隙、高饱和电子漂移速率